| 摘要 | 第1-15页 |
| ABSTRACT | 第15-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-47页 |
| §1.1 基于功能基元的结构-性能研究及材料设计 | 第19-22页 |
| §1.2 几类新型无机功能材料介绍 | 第22-34页 |
| §1.2.1 光学晶体 | 第22-25页 |
| §1.2.2 超硬材料 | 第25-28页 |
| §1.2.3 金属氧化物功能材料 | 第28-31页 |
| §1.2.4 低维材料 | 第31-34页 |
| §1.3 本论文的选题思想和研究内容 | 第34-36页 |
| 参考文献 | 第36-47页 |
| 第二章 基本理论方法及其应用 | 第47-69页 |
| §2.1 密度泛函理论 | 第47-55页 |
| §2.1.1 Kohn-Sham方程 | 第50-52页 |
| §2.1.2 局域密度近似 | 第52-53页 |
| §2.1.3 广义梯度近似 | 第53-54页 |
| §2.1.4 自洽场计算 | 第54-55页 |
| §2.2 密度泛函微扰理论 | 第55-62页 |
| §2.2.1 线性响应和Green函数方法 | 第56-57页 |
| §2.2.2 (2n+1)定理 | 第57页 |
| §2.2.3 变分原理和微扰理论 | 第57-59页 |
| §2.2.4 Kohn-Sham能量函数的微扰处理 | 第59-60页 |
| §2.2.5 基于DFPT的晶格动力学 | 第60-62页 |
| §2.3 本论文应用的基于密度泛函理论的软件包 | 第62-67页 |
| ·CASTEP软件简介 | 第62-64页 |
| ·DMol~3软件简介 | 第64-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 第三章 光学材料:三元和四元光电功能晶体 | 第69-117页 |
| §3.1 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ_2型三元光电功能晶体 | 第69-97页 |
| §3.1.1 引言 | 第69-70页 |
| §3.1.2 计算细节 | 第70-71页 |
| §3.1.3 一价阳离子对XInSe_2(X=Cu,Ag,Li)电子结构、光学和晶格动力学性质的影响 | 第71-82页 |
| §3.1.4 晶体结构对LiInSe_2电子结构、光学和晶格动力学性质的影响 | 第82-97页 |
| §3.2 Ⅰ_2-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ_4四元光电功能晶体 | 第97-109页 |
| §3.2.1 引言 | 第97-98页 |
| §3.2.2 计算细节 | 第98页 |
| §3.2.3 结果与讨论 | 第98-109页 |
| §3.3 本章小结 | 第109-111页 |
| 参考文献 | 第111-117页 |
| 第四章 超硬材料:B-C-N三元化合物 | 第117-134页 |
| §4.1 引言 | 第117-118页 |
| §4.2 BC_2N晶体物理性质的理论研究及其晶体结构的解析 | 第118-126页 |
| §4.2.1 计算细节 | 第118页 |
| §4.2.2 晶体结构模型 | 第118-120页 |
| §4.2.3 电子结构和光学性质 | 第120-123页 |
| §4.2.4 振动性质的研究及晶体结构的解析 | 第123-126页 |
| §4.3 BC_6N晶体物理性质的理论研究及其晶体结构探索 | 第126-130页 |
| §4.3.1 计算细节 | 第126页 |
| §4.3.2 晶体结构模型 | 第126-127页 |
| §4.3.3 电子结构 | 第127-128页 |
| §4.3.4 振动性质的研究及晶体结构的探索 | 第128-130页 |
| §4.4 本章小结 | 第130-131页 |
| 参考文献 | 第131-134页 |
| 第五章 金属氧化物功能材料 | 第134-155页 |
| §5.1 TeO_2多形体的结构和物性 | 第134-142页 |
| §5.1.1 引言 | 第134页 |
| §5.1.2 计算细节 | 第134-135页 |
| §5.1.3 晶体结构 | 第135-137页 |
| §5.1.4 电子结构 | 第137-138页 |
| §5.1.5 光学性质 | 第138-142页 |
| §5.2 高压下SnO_2的结构和物性 | 第142-151页 |
| §5.2.1 引言 | 第142页 |
| §5.2.2 计算细节 | 第142-143页 |
| §5.2.3 SnO_2高压相的结构参数 | 第143-146页 |
| §5.2.4 高压电子结构 | 第146-149页 |
| §5.2.5 高压光学性质 | 第149-151页 |
| §5.3 本章小结 | 第151-152页 |
| 参考文献 | 第152-155页 |
| 第六章 低维材料:从纳米线到纳米带 | 第155-180页 |
| §6.1 引言 | 第155-156页 |
| §6.2 Ag掺杂ZnO纳米线的p型电子结构及截面效应 | 第156-166页 |
| §6.2.1 计算细节 | 第156-157页 |
| §6.2.2 模型的建立 | 第157-158页 |
| §6.2.3 掺杂结构的稳定性 | 第158-160页 |
| §6.2.4 电子结构 | 第160-166页 |
| §6.2.5 Ag掺杂ZnO纳米线的截面效应 | 第166页 |
| §6.3 Ag掺杂ZnO纳米带的p型电子结构及边界效应和掺杂位点效应 | 第166-177页 |
| §6.3.1 计算细节 | 第166-167页 |
| §6.3.2 模型的建立 | 第167-168页 |
| §6.3.3 掺杂结构的稳定性 | 第168-169页 |
| §6.3.4 边界效应及掺杂位点相关的电子结构 | 第169-175页 |
| §6.3.5 Ag掺杂浓度的影响 | 第175-177页 |
| §6.4 本章小结 | 第177-178页 |
| 参考文献 | 第178-180页 |
| 第七章 总结与展望 | 第180-183页 |
| §7.1 本论文的主要结论及创新点 | 第180-182页 |
| §7.2 展望 | 第182-183页 |
| 致谢 | 第183-184页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文及参与的科研项目 | 第184-186页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第186-187页 |
| 附录 | 第187-202页 |
