| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 引言 | 第10-11页 |
| 1 绪论 | 第11-26页 |
| 1.1 SiC的晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.2 SiC的性质 | 第12-13页 |
| 1.2.1 硬度和耐磨性 | 第12页 |
| 1.2.2 热稳定性 | 第12页 |
| 1.2.3 化学性质 | 第12-13页 |
| 1.2.4 电学性质 | 第13页 |
| 1.3 碳化硅的应用领域 | 第13-15页 |
| 1.4 碳化硅薄膜的制备方法 | 第15-19页 |
| 1.4.1 物理气相沉积 | 第15-17页 |
| 1.4.2 化学气相沉积 | 第17-18页 |
| 1.4.3 包埋法 | 第18-19页 |
| 1.5 磁控溅射原理及薄膜的生长 | 第19-24页 |
| 1.5.1 溅射镀膜原理 | 第19-20页 |
| 1.5.2 磁控溅射原理 | 第20-21页 |
| 1.5.3 薄膜的生长过程 | 第21-22页 |
| 1.5.4 薄膜形成的三种模式 | 第22-23页 |
| 1.5.5 连续薄膜的形成机制 | 第23-24页 |
| 1.6 本文主要研究内容 | 第24页 |
| 1.7 技术路线 | 第24-26页 |
| 2 材料与实验 | 第26-32页 |
| 2.1 实验材料与仪器 | 第26-28页 |
| 2.1.1 实验材料 | 第26-27页 |
| 2.1.2 实验用仪器设备 | 第27页 |
| 2.1.3 磁控溅射设备及操作 | 第27-28页 |
| 2.2 SiC涂层的制备 | 第28-29页 |
| 2.2.1 基体前处理 | 第28-29页 |
| 2.2.2 溅射 | 第29页 |
| 2.3 涂层样品的表征技术 | 第29-32页 |
| 2.3.1 SEM表面形貌及EDS分析 | 第29页 |
| 2.3.2 XRD物相分析 | 第29页 |
| 2.3.3 AFM三维形貌分析 | 第29-30页 |
| 2.3.4 涂层附着力测试 | 第30页 |
| 2.3.5 动电位扫描测试 | 第30-31页 |
| 2.3.6 静态浸泡腐蚀后表面形貌分析 | 第31页 |
| 2.3.7 高温蒸汽氧化腐蚀行为分析 | 第31-32页 |
| 3 SiC涂层制备工艺研究 | 第32-48页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 涂层制备过程对基体的影响 | 第32-33页 |
| 3.2.1 基体微观组织 | 第32-33页 |
| 3.2.2 基体氢含量 | 第33页 |
| 3.3 衬底偏压的影响 | 第33-40页 |
| 3.3.1 衬底偏压对涂层生长模式的影响 | 第34-35页 |
| 3.3.2 衬底偏压对沉积速率的影响 | 第35-36页 |
| 3.3.3 衬底偏压对涂层表面粗糙度的影响 | 第36-38页 |
| 3.3.4 衬底偏压对结合性能的影响 | 第38-40页 |
| 3.4 工作气压的影响 | 第40-47页 |
| 3.4.1 工作气压对涂层生长模式的影响 | 第40-41页 |
| 3.4.2 工作气压对沉积速率的影响 | 第41-42页 |
| 3.4.3 工作气压对涂层表面粗糙度的影响 | 第42-44页 |
| 3.4.4 工作气压对结合性能影响 | 第44-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 4 锆合金表面SiC涂层试样的耐腐蚀性能研究 | 第48-61页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 SiC涂层的表征 | 第48-50页 |
| 4.2.1 XRD物相分析 | 第48-49页 |
| 4.2.2 涂层表面SEM和元素分析 | 第49-50页 |
| 4.3 电化学腐蚀试验 | 第50-52页 |
| 4.3.1 动电位极化曲线分析 | 第50-51页 |
| 4.3.2 电化学腐蚀后试样表面形貌 | 第51-52页 |
| 4.4 静态浸泡腐蚀试验 | 第52-54页 |
| 4.5 制备工艺参数对SiC涂层试样耐腐蚀性能的影响 | 第54-57页 |
| 4.5.1 衬底偏压对SiC涂层耐腐蚀性能的影响 | 第54-56页 |
| 4.5.2 工作气压对SiC涂层耐腐蚀性能的影响 | 第56-57页 |
| 4.6 高温氧化腐蚀行为分析 | 第57-60页 |
| 4.6.1 高温蒸汽后表面腐蚀形貌 | 第57-60页 |
| 4.7 本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 攻读硕士期间发表的论文及科研成果 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |