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TiO2-Al2O3复合材料在电荷俘获存储器件中的应用研究

摘要第5-8页
Abstract第8-10页
第一章 绪论第13-38页
    1.1 引言第13页
    1.2 半导体存储器的分类第13-15页
    1.3 非易失性存储器的概述第15-22页
        1.3.1 非易失性存储器的发展第15-17页
        1.3.2 Flash存储器的基本概念与原理第17-20页
        1.3.3 Flash存储器的可靠性分析第20-22页
    1.4 几种新型的非易失性存储器第22-31页
        1.4.1 铁电存储器第22-24页
        1.4.2 磁性存储器第24-25页
        1.4.3 相变存储器第25-27页
        1.4.4 固体电解质存储器和阻变存储器第27-28页
        1.4.5 电荷俘获存储器第28-31页
    1.5 电荷俘获存储器中high-k材料的应用第31-32页
    1.6 本论文工作的意义、目的和内容第32-34页
    参考文献第34-38页
第二章 薄膜结构的制备方式和存储器表征方法第38-47页
    2.1 常用的薄膜制备技术第38页
    2.2 原子层沉积技术第38-41页
    2.3 磁控溅射系统第41-43页
    2.4 性能表征和热处理第43-44页
    2.5 本章小结第44-45页
    参考文献第45-47页
第三章 TiO_2-Al_2O_3复合电介质材料在电荷俘获存储器中的应用研究第47-59页
    3.1 引言第47-48页
    3.2 原型器件的制备和微结构表征第48-50页
    3.3 TAO电荷俘获层薄膜的XPS分析第50-51页
    3.4 存储器件的电学性能表征第51-55页
    3.5 本章小结第55-57页
    参考文献第57-59页
第四章 纳米叠层和复合材料摩尔比对TiO_2-Al_2O_3型存储器性能的影响第59-70页
    4.1 引言第59-60页
    4.2 纳米叠层结构的TiO_2-Al_2O_3型存储器件第60-65页
        4.2.1 纳米叠层结构TiO_2-Al_2O_3型存储器件的制备第60页
        4.2.2 HRTEM表征第60-61页
        4.2.3 纳米叠层结构TiO_2-Al_2O_3型存储器件的电学性能第61-65页
    4.3 TiO_2-Al_2O_3复合电介质的组分摩尔比对存储性能的影响第65-67页
    4.4 本章小结第67-68页
    参考文献第68-70页
第五章 结论与展望第70-73页
    5.1 结论第70-71页
    5.2 展望第71-73页
硕士期间发表的论文第73-74页
致谢第74-75页

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