| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第12-18页 |
| 1.1 Goos-H?nchen位移简介 | 第12-13页 |
| 1.2 Goos-H?nchen位移研究进展 | 第13-15页 |
| 1.3 Goos-H?nchen位移效应的应用 | 第15-16页 |
| 1.4 本文的研究内容及创新之处 | 第16-18页 |
| 第2章 Goos-H?nchen位移理论研究主要方法 | 第18-35页 |
| 2.1 stationaryphase方法 | 第18-22页 |
| 2.2 能流方法 | 第22-25页 |
| 2.3 高斯光束Goos-H?nchen位移 | 第25-28页 |
| 2.4 多层结构中光束的反射系数与透射系数 | 第28-33页 |
| 2.4.1 麦克斯韦方程组 | 第28-29页 |
| 2.4.2 边界条件及反射与折射 | 第29-30页 |
| 2.4.3 传输矩阵与反射(透射)系数 | 第30-33页 |
| 2.5 小结 | 第33-35页 |
| 第3章 几种结构的电控Goos-H?nchen位移研究 | 第35-54页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 基于电光晶体的电控Goos-H?nchen位移 | 第35-40页 |
| 3.2.1 模型与理论推导 | 第35-38页 |
| 3.2.2 实验结果与讨论 | 第38-40页 |
| 3.3 基于金半结的电控Goos-H?nchen位移 | 第40-48页 |
| 3.3.1 模型与理论推导 | 第40-43页 |
| 3.3.2 数值计算与数值模似 | 第43-48页 |
| 3.4 基于PMN-PT透明陶瓷的电控Goos-H?nchen位移 | 第48-53页 |
| 3.4.1 PMN-PT透明陶瓷材料简介 | 第48-49页 |
| 3.4.2 基于PMN-PT透明陶瓷的Goos-H?nchen位移理论模型 | 第49-50页 |
| 3.4.3 理论计算与分析 | 第50-53页 |
| 3.5 小结 | 第53-54页 |
| 第4章 基于铁磁流体的磁可控Goos-H?nchen位移研究 | 第54-76页 |
| 4.1 引言 | 第54-55页 |
| 4.2 基于各向异性铁磁流体的磁控Goos-H?nchen位移 | 第55-65页 |
| 4.2.1 腔体结构理论模型 | 第55页 |
| 4.2.2 Goos-H?nchen位移的理论计算 | 第55-56页 |
| 4.2.3 铁磁流体的等效介电常数张量 | 第56-59页 |
| 4.2.4 外磁场对Goos-H?nchen位移的控制作用 | 第59-61页 |
| 4.2.5 结构优化 | 第61-64页 |
| 4.2.6 高斯光束Goos-H?nchen位移的实时仿真 | 第64-65页 |
| 4.3 含各向同性铁磁流体腔体结构的Goos-H?nchen位移 | 第65-74页 |
| 4.3.1 腔体结构理论模型 | 第65-66页 |
| 4.3.2 腔体结构Goos-H?nchen位移的理论计算 | 第66-68页 |
| 4.3.3 结果与讨论 | 第68-74页 |
| 4.4 小结 | 第74-76页 |
| 第5章 总结与展望 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-90页 |
| 附录A 已发表与待发表的的论文 | 第90-91页 |
| 致谢 | 第91页 |
