| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第1章 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 各向异性二维材料简介 | 第13-15页 |
| 1.3 各向异性二维ReX_2(X=S,Se)材料研究概述 | 第15-24页 |
| 1.3.1 二维ReX_2材料的结构 | 第15页 |
| 1.3.2 二维ReX_2材料的性质 | 第15-19页 |
| 1.3.3 二维ReX_2材料的应用 | 第19-24页 |
| 1.4 论文的研究意义及主要研究内容 | 第24-26页 |
| 1.4.1 研究的意义 | 第24-25页 |
| 1.4.2 主要研究内容 | 第25-26页 |
| 第2章 实验原料、设备及分析与表征技术 | 第26-32页 |
| 2.1 实验原料及试剂 | 第26-27页 |
| 2.2 实验仪器与设备 | 第27-28页 |
| 2.3 ReX_2材料CVD生长系统的设计 | 第28页 |
| 2.4 各向异性二维ReX_2材料的分析表征 | 第28-30页 |
| 2.4.1 ReX_2材料的形貌分析 | 第28-29页 |
| 2.4.2 ReX_2材料的光谱性质分析 | 第29页 |
| 2.4.3 ReX_2材料的组份分析 | 第29页 |
| 2.4.4 ReX_2材料的结构和晶格质量分析 | 第29页 |
| 2.4.5 ReX_2材料的各向异性特性分析 | 第29-30页 |
| 2.5 各向异性二维ReX_2材料的电学和光电性能测试 | 第30-32页 |
| 2.5.1 ReX_2材料电子器件的制备 | 第30页 |
| 2.5.2 ReX_2材料的电学和光电性能测试 | 第30-32页 |
| 第3章 碲辅助法外延生长大面积、高质量原子薄层ReS_2 | 第32-46页 |
| 3.1 引言 | 第32-33页 |
| 3.2 二维ReS_2材料的制备 | 第33-38页 |
| 3.2.1 生长衬底的处理 | 第33页 |
| 3.2.2 CVD法制备ReS_2材料 | 第33-34页 |
| 3.2.3 碲辅助CVD法制备ReS_2材料 | 第34-35页 |
| 3.2.4 生长衬底对ReS_2材料生长行为的影响 | 第35-36页 |
| 3.2.5 温度对ReS_2材料生长形貌和晶格质量的调控 | 第36-38页 |
| 3.3 二维ReS_2样品的转移 | 第38页 |
| 3.4 二维ReS_2材料的分析与表征 | 第38-42页 |
| 3.4.1 ReS_2材料的层数和形貌分析 | 第38-39页 |
| 3.4.2 ReS_2材料的光谱性质 | 第39-40页 |
| 3.4.3 ReS_2材料的组份分析 | 第40-41页 |
| 3.4.4 ReS_2材料的晶体结构分析 | 第41-42页 |
| 3.5 单层ReS_2材料的电学性能研究 | 第42-45页 |
| 3.5.1 ReS_2材料电学器件的构筑 | 第42-43页 |
| 3.5.2 ReS_2材料的电学性质 | 第43-44页 |
| 3.5.3 ReS_2材料的各向异性电学性质 | 第44-45页 |
| 3.6 本章小结 | 第45-46页 |
| 第4章 空间限域法外延生长原子薄层ReSe_2 | 第46-60页 |
| 4.1 引言 | 第46-47页 |
| 4.2 实验设计 | 第47-49页 |
| 4.3 生长机理研究 | 第49-51页 |
| 4.3.1 氢气对ReSe_2材料生长的调控 | 第49-50页 |
| 4.3.2 温度对ReSe_2材料形貌的调控 | 第50-51页 |
| 4.4 二维ReSe_2材料的分析与表征 | 第51-55页 |
| 4.4.1 ReSe_2材料的形貌分析 | 第51-52页 |
| 4.4.2 ReSe_2材料的光谱性质 | 第52-53页 |
| 4.4.3 ReSe_2材料的组份分析 | 第53-54页 |
| 4.4.4 ReSe_2材料的晶体结构分析 | 第54-55页 |
| 4.5 二维ReSe_2材料的角分辨偏振拉曼光谱 | 第55-56页 |
| 4.6 单层ReSe_2材料的电学和光电性质研究 | 第56-58页 |
| 4.6.1 ReSe_2材料光电器件的构筑 | 第56-57页 |
| 4.6.2 ReSe_2材料的电学和光电性质 | 第57-58页 |
| 4.7 本章小结 | 第58-60页 |
| 第5章 1T'ReS_(2x)Se_(2(1-x))合金的可控制备及其能带和电学属性调控 | 第60-78页 |
| 5.1 引言 | 第60-61页 |
| 5.2 实验部分 | 第61-62页 |
| 5.2.1 实验设计思想 | 第61页 |
| 5.2.2 CVD法制备ReS_(2x)Se_(2(1-x))合金材料 | 第61-62页 |
| 5.3 ReS_(2x)Se_(2(1-x))合金材料的形貌分析 | 第62-63页 |
| 5.4 ReS_(2x)Se_(2(1-x))合金材料的光谱性质 | 第63-67页 |
| 5.4.1 ReS_(2x)Se_(2(1-x))合金材料的组份分析 | 第63-65页 |
| 5.4.2 ReS_(2x)Se_(2(1-x))合金材料带隙和结构与其组份的关系 | 第65-67页 |
| 5.5 ReS_(2x)Se_(2(1-x))合金材料的晶体结构分析及原子分布 | 第67-71页 |
| 5.5.1 ReS_(2x)Se_(2(1-x))合金材料的晶体结构分析 | 第67-69页 |
| 5.5.2 ReS_(2x)Se_(2(1-x))合金结构中的“亚纳米尺度原子局域分布”现象 | 第69-71页 |
| 5.6 ReS_(2x)Se_(2(1-x))合金材料的电学属性调控 | 第71-73页 |
| 5.6.1 ReS_(2x)Se_(2(1-x))合金的电学性能研究 | 第71页 |
| 5.6.2 ReS_(2x)Se_(2(1-x))合金的电学属性调控 | 第71-73页 |
| 5.7 ReS_(2x)Se_(2(1-x))合金材料的各向异性特性研究 | 第73-75页 |
| 5.7.1 ReS_(2x)Se_(2(1-x))合金的角分辨偏振拉曼光谱 | 第73-74页 |
| 5.7.2 ReS_(2x)Se_(2(1-x))合金的各向异性电学和光电性质 | 第74-75页 |
| 5.8 本章小结 | 第75-78页 |
| 第6章 全文总结 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-90页 |
| 致谢 | 第90-92页 |
| 攻读硕士期间研究成果 | 第92页 |
