中文摘要 | 第4-8页 |
abstract | 第8-12页 |
英文缩略词 | 第16-17页 |
第1章 前言 | 第17-25页 |
1 癌症与DNA损伤修复 | 第17-20页 |
1.1 癌症发生DNA损伤反应 | 第17-18页 |
1.2 电离辐射与DNA损伤反应 | 第18-19页 |
1.3 ATM/Chk2/P53通路与DNA损伤反应 | 第19-20页 |
2 表观遗传学与DNA损伤修复 | 第20-24页 |
2.1 表观遗传学 | 第20-21页 |
2.2 组蛋白甲基化 | 第21-22页 |
2.3 PcG家族 | 第22-23页 |
2.4 EZH2与癌症 | 第23页 |
2.5 EZH2的H3K27的三甲基化作用对靶基因的调控 | 第23-24页 |
3 立题依据 | 第24-25页 |
第2章 材料与方法 | 第25-41页 |
2.1 试剂耗材 | 第25-28页 |
2.1.1 主要试剂 | 第25-27页 |
2.1.2 主要仪器 | 第27-28页 |
2.1.3 主要耗材 | 第28页 |
2.2 实验方法 | 第28-41页 |
2.2.1 细胞培养 | 第28-30页 |
2.2.2 X线照射 | 第30页 |
2.2.3 细胞增殖实验 | 第30页 |
2.2.4 细胞周期检测 | 第30-31页 |
2.2.5 免疫荧光 | 第31-32页 |
2.2.6 过表达质粒的转化和提取 | 第32-34页 |
2.2.7 用瞬时转染方法建立细胞模型 | 第34页 |
2.2.8 PCR | 第34-37页 |
2.2.9 蛋白质免疫印迹法 | 第37-38页 |
2.2.10 ChIP | 第38-40页 |
2.2.11 统计分析 | 第40-41页 |
第3章 实验结果 | 第41-62页 |
3.1 电离辐射对Hep3B细胞造成的辐射效应 | 第41-44页 |
3.1.1 电离辐射诱导Hep3B细胞发生DNA双链断裂 | 第41页 |
3.1.2 电离辐射诱导Hep3B细胞发生细胞周期的变化 | 第41-42页 |
3.1.3 电离辐射对Hep3B细胞EZH2、BMI-1mRNA表达水平的影响.. | 第42-43页 |
3.1.4 电离辐射对Hep3B细胞中目的基因mRNA水平的影响. | 第43-44页 |
3.2 探讨EZH2生物学效应对Hep3B细胞辐射效应的影响 | 第44-52页 |
3.2.1 明确GSK126的使用剂量 | 第44-45页 |
3.2.2 抑制EZH2的生物学效应对Hep3B细胞辐射效应影响 | 第45-47页 |
3.2.3 抑制EZH2生物学效应对Hep3B细胞辐射效应相关目的基因的影响 | 第47-49页 |
3.2.4 抑制EZH2生物学效应对Hep3B细胞辐射效应相关目的基因蛋白水平的影响 | 第49-52页 |
3.3 EZH2在Hep3B细胞辐射抗性中对ATM/Chk2/p53的调控 | 第52-61页 |
3.3.1 EZH2低表达细胞模型的建立 | 第52页 |
3.3.2 EZH2低表达对Hep3B细胞辐射效应的影响 | 第52-53页 |
3.3.3 EZH2低表达对Hep3B细胞中目的基因mRNA水平的影响.. | 第53-55页 |
3.3.4 EZH2低表达对Hep3B细胞中目的基因蛋白水平的影响. | 第55-58页 |
3.3.5 EZH2过表达细胞模型的建立 | 第58-59页 |
3.3.6 EZH2高表达对293T细胞中目的基因mRNA水平的影响 | 第59-60页 |
3.3.7 EZH2高表达对293T细胞中目的基因蛋白水平的影响 | 第60-61页 |
3.4 EZH2介导H3K27me3对ATM/Chk2/P53通路进行调控 | 第61-62页 |
第4章 讨论 | 第62-68页 |
4.1 电离辐射对Hep3B细胞表型及目的基因mRNA和蛋白水平的改变 | 第62-65页 |
4.1.1 电离辐射对Hep3B肝癌细胞中ATM、Chk2、P53表达水平的影响 | 第62-64页 |
4.1.2 电离辐射对PcG家族中EZH2、BMI-1表达水平的影响 | 第64-65页 |
4.2 EZH2通过H3K27me3作用对ATM/Chk2/p53通路进行调控 | 第65-68页 |
第5章 结论 | 第68-69页 |
参考文献 | 第69-75页 |
作者简介 | 第75-76页 |
致谢 | 第76页 |