| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 MoS_2的基本性质与制备方法 | 第10-15页 |
| 1.2.1 MoS_2的基本性质 | 第10-12页 |
| 1.2.2 单层MoS_2材料的制备方法 | 第12-15页 |
| 1.3 过渡金属硫化物在能谷电子学领域的研究现状 | 第15-20页 |
| 1.4 过渡金属掺杂MoS_2等材料的研究现状 | 第20-21页 |
| 1.5 本论文的主要内容 | 第21-22页 |
| 第二章 计算和实验方法 | 第22-33页 |
| 2.1 基于密度泛函理论的第一性原理计算 | 第22-27页 |
| 2.1.1 密度泛函理论 | 第22-25页 |
| 2.1.2 交换关联泛函 | 第25页 |
| 2.1.3 赝势 | 第25-26页 |
| 2.1.4 VASP计算软件简介 | 第26-27页 |
| 2.2 薄膜制备与表征方法 | 第27-33页 |
| 2.2.1 脉冲激光沉积 | 第27-28页 |
| 2.2.2 化学气象沉积 | 第28页 |
| 2.2.3 X射线衍射谱 | 第28-29页 |
| 2.2.4 光学显微镜 | 第29页 |
| 2.2.5 拉曼光谱 | 第29-30页 |
| 2.2.6 X射线光电子能谱 | 第30-33页 |
| 第三章 磁性离子掺杂单层MoS_2的第一性原理计算 | 第33-43页 |
| 3.1 计算模型与计算方法 | 第33-34页 |
| 3.1.1 计算模型 | 第33页 |
| 3.1.2 计算方法 | 第33-34页 |
| 3.2 计算结果分析与讨论 | 第34-42页 |
| 3.2.1 单层MoS_2材料的电子结构 | 第34-36页 |
| 3.2.2 磁性离子掺杂单层MoS_2的电子结构与磁性 | 第36-38页 |
| 3.2.3 磁性离子掺杂单层MoS_2的应力效应 | 第38-42页 |
| 3.3 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 少层MoS_2薄膜及Mn掺杂MoS_2薄膜的制备与表征 | 第43-54页 |
| 4.1 少层MoS_2薄膜的制备与表征 | 第43-48页 |
| 4.1.1 CVD制备少层MoS_2薄膜 | 第43-45页 |
| 4.1.2 PLD制备少层MoS_2薄膜 | 第45-48页 |
| 4.2 Mn掺杂MoS_2薄膜的制备与表征 | 第48-53页 |
| 4.2.1 Mn掺杂MoS_2薄膜的制备 | 第48-49页 |
| 4.2.2 Mn掺杂MoS_2薄膜的表征 | 第49-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 结论与展望 | 第54-55页 |
| 5.1 结论 | 第54页 |
| 5.2 展望 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 附录 | 第61-63页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第63页 |
