| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 MAX相 | 第10-12页 |
| 1.2 Ti-Si-C | 第12-17页 |
| 1.2.1 Ti-C体系 | 第12-14页 |
| 1.2.2 Si-C体系 | 第14-15页 |
| 1.2.3 Ti-Si体系 | 第15页 |
| 1.2.4 Ti-Si-C体系 | 第15-17页 |
| 1.3 Ti_3SiC_2的结构、性能及应用 | 第17-20页 |
| 1.3.1 Ti_3SiC_2的结构 | 第17页 |
| 1.3.2 Ti_3SiC_2的性能 | 第17-18页 |
| 1.3.3 Ti_3SiC_2的制备方法 | 第18-19页 |
| 1.3.4 Ti_3SiC_2的应用现状 | 第19-20页 |
| 1.4 Ti-Si-C涂层的化学气相沉积 | 第20-22页 |
| 1.5 研究目的和内容 | 第22-24页 |
| 2 涂层的制备与检测 | 第24-33页 |
| 2.1 CVD法制备涂层设备及其原材料 | 第24-26页 |
| 2.1.1 CVD设备 | 第24页 |
| 2.1.2 实验原材料 | 第24-26页 |
| 2.2 TiC涂层的制备 | 第26-30页 |
| 2.2.1 反应体系的选择和热力学分析 | 第27-28页 |
| 2.2.2 动力学分析 | 第28-30页 |
| 2.3 Ti-Si-C复合涂层的CVD工艺设计 | 第30-31页 |
| 2.4 涂层结构表征与性能检测 | 第31-33页 |
| 2.4.1 X射线衍射分析 | 第31页 |
| 2.4.2 SEM表面形貌及组织结构分析 | 第31页 |
| 2.4.3 能谱分析 | 第31页 |
| 2.4.4 电子探针分析 | 第31页 |
| 2.4.5 涂层沉积速率测试 | 第31页 |
| 2.4.6 抗氧化性能分析 | 第31-33页 |
| 3 TiC涂层及TiC/SiC复合涂层的制备与组织结构 | 第33-42页 |
| 3.1 单一TiC涂层制备制备及组织结构 | 第33页 |
| 3.2 沉积位置对TiC涂层的影响 | 第33-36页 |
| 3.3 沉积温度对TiC对涂层的影响 | 第36-37页 |
| 3.4 SiC涂层制备及其形貌结构 | 第37-39页 |
| 3.5 TiC/SiC多层复合涂层 | 第39-41页 |
| 3.6 本章小结 | 第41-42页 |
| 4 CVD Ti-Si-C复合涂层的相组成、含量及显微结构控制 | 第42-69页 |
| 4.1 沉积温度对涂层显微组织结构的影响 | 第42-48页 |
| 4.1.1 不同温度下涂层物相分析及择优取向 | 第42-43页 |
| 4.1.2 不同温度下涂层的形貌结构和成分变化 | 第43-48页 |
| 4.2 反应前驱体Si/Ti比对涂层显微组织结构的影响 | 第48-53页 |
| 4.2.1 Si/Ti比对涂层晶体结构的影响 | 第49页 |
| 4.2.2 Si/Ti比对涂层表面形貌的影响 | 第49-51页 |
| 4.2.3 不同Si/Ti比对涂层断面形貌的影响 | 第51页 |
| 4.2.4 TiC-SiC共沉积复合涂层 | 第51-53页 |
| 4.3 H_2浓度对涂层的影响 | 第53-59页 |
| 4.3.1 H_2浓度对涂层晶体结构的影响 | 第54-55页 |
| 4.3.2 H_2浓度对涂层表面形貌的影响 | 第55-56页 |
| 4.3.3 H_2浓度对涂层断面形貌的影响 | 第56-58页 |
| 4.3.4 Si/Ti比(H_2浓度为50%)对涂层影响 | 第58-59页 |
| 4.4 TiCl_4-CH_3SiCl_3-CH_4-H_2-Ar体系的简单探讨 | 第59-61页 |
| 4.5 优化后的工艺 | 第61-62页 |
| 4.6 涂层中Ti_3SiC_2的结构特征、形成机制及控制 | 第62-67页 |
| 4.6.1 Ti_3SiC_2的化学气相沉积机制 | 第62-64页 |
| 4.6.2 涂层中Ti_3SiC_2的结构及含量的影响因素 | 第64-67页 |
| 4.7 本章小结 | 第67-69页 |
| 5 抗氧化性能分析 | 第69-76页 |
| 5.1 涂层的抗氧化性能 | 第69-74页 |
| 5.2 氧化机理 | 第74-75页 |
| 5.3 本章小结 | 第75-76页 |
| 6 结论与展望 | 第76-78页 |
| 6.1 结论 | 第76-77页 |
| 6.2 展望 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-84页 |
| 攻读硕士学位期间的主要研究成果 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85页 |
