| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 研究的背景及意义 | 第8-10页 |
| 1.2 SiC BJT及其应用的研究现状 | 第10-13页 |
| 1.2.1 国外研究进展 | 第10-12页 |
| 1.2.2 国内研究进展 | 第12-13页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第13-14页 |
| 2 逆变电路原理 | 第14-20页 |
| 2.1 逆变系统的结构 | 第14-15页 |
| 2.2 逆变主电路分析 | 第15-16页 |
| 2.3 逆变电路的PWM控制技术 | 第16-19页 |
| 2.3.1 PWM控制技术原理 | 第16-17页 |
| 2.3.2 半桥逆变电路的PWM控制方法 | 第17-18页 |
| 2.3.3 SPWM波的生成原理 | 第18-19页 |
| 2.4 小结 | 第19-20页 |
| 3 功率器件的特性分析 | 第20-30页 |
| 3.1 SiC BJT的结构和工作原理 | 第20-21页 |
| 3.2 SiC BJT与SiBJT性能对比 | 第21-25页 |
| 3.2.1 输出特性对比 | 第21-22页 |
| 3.2.2 输入特性对比 | 第22-23页 |
| 3.2.3 温度对BJT输出特性的影响 | 第23-24页 |
| 3.2.4 动态特性分析 | 第24-25页 |
| 3.3 SiC BJT与SiIGBT性能对比 | 第25-27页 |
| 3.4 SiC BJT与SiCMOSFET性能对比 | 第27-29页 |
| 3.4.1 通态电阻对比 | 第27-28页 |
| 3.4.2 动态特性对比 | 第28-29页 |
| 3.5 小结 | 第29-30页 |
| 4 SiC BJT半桥逆变系统设计 | 第30-46页 |
| 4.1 系统的总体结构 | 第30页 |
| 4.2 逆变主电路设计 | 第30-32页 |
| 4.2.1 电力电子器件选择 | 第31页 |
| 4.2.2 缓冲电容选择 | 第31-32页 |
| 4.3 SiC BJT驱动电路设计 | 第32-41页 |
| 4.3.1 驱动电路的理论分析 | 第32-34页 |
| 4.3.2 驱动电路的仿真分析 | 第34-38页 |
| 4.3.3 驱动电路设计 | 第38-39页 |
| 4.3.4 双脉冲实验 | 第39-41页 |
| 4.4 波滤电路设计 | 第41-43页 |
| 4.5 控制电路设计 | 第43-45页 |
| 4.6 小结 | 第45-46页 |
| 5 SiC BJT逆变器的损耗分析和实验 | 第46-62页 |
| 5.1 逆变电路的损耗构成 | 第46-48页 |
| 5.1.1 逆变电路的通态损耗分析 | 第46-47页 |
| 5.1.2 逆变电路的开关损耗分析 | 第47-48页 |
| 5.2 逆变电路通态损耗计算 | 第48-53页 |
| 5.2.1 通态电阻与电流的多项式拟合 | 第48-50页 |
| 5.2.2 逆变电路的通态损耗仿真 | 第50-53页 |
| 5.3 逆变电路开关损耗计算 | 第53-56页 |
| 5.3.1 开关能量损耗与电流的多项式拟合 | 第53-54页 |
| 5.3.2 逆变电路的开关损耗仿真 | 第54-56页 |
| 5.4 逆变电路损耗分析 | 第56-58页 |
| 5.5 实验结果 | 第58-61页 |
| 5.6 小结 | 第61-62页 |
| 6 总结与展望 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-67页 |