| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 1 引言 | 第11-24页 |
| 1.1 石墨烯 | 第12-15页 |
| 1.2 过渡金属硫化物 | 第15-20页 |
| 1.2.1 过渡金属硫化物的特点 | 第15-16页 |
| 1.2.2 二维过渡金属硫化物的制备 | 第16-18页 |
| 1.2.3 过渡金属硫化物的应用 | 第18-20页 |
| 1.3 二碲化钼 | 第20-22页 |
| 1.3.1 二碲化钼结构特点 | 第20-21页 |
| 1.3.2 二碲化钼的带隙特点 | 第21-22页 |
| 1.3.3 二碲化钼的应用 | 第22页 |
| 1.4 本文的选题与主要研究内容 | 第22-24页 |
| 2 实验设备、材料与表征技术 | 第24-31页 |
| 2.1 实验材料与设备 | 第24-26页 |
| 2.1.1 实验设备 | 第24-25页 |
| 2.1.2 自制CVD设备系统 | 第25-26页 |
| 2.1.3 实验材料 | 第26页 |
| 2.2 表征技术 | 第26-30页 |
| 2.2.1 光学显微镜表征 | 第26-27页 |
| 2.2.2 x射线光电子能谱表征技术 | 第27-28页 |
| 2.2.3 拉曼光谱和光致发光表征 | 第28-29页 |
| 2.2.4 原子力显微镜表征 | 第29-30页 |
| 2.3 本章小结 | 第30-31页 |
| 3 CVD法制备二维二碲化钼 | 第31-41页 |
| 3.1 实验工作 | 第31-32页 |
| 3.1.1 清洗衬底 | 第31页 |
| 3.1.2 MoTe_2的生长过程 | 第31-32页 |
| 3.2 对于CVD法生长的MoTe_2的表征与分析 | 第32-36页 |
| 3.2.1 MoTe_2的光学显微镜表征 | 第32-33页 |
| 3.2.2 MoTe_2的XPS表征 | 第33-34页 |
| 3.2.3 MoTe_2的拉曼光谱表征 | 第34-35页 |
| 3.2.4 MoTe_2的AFM表征 | 第35-36页 |
| 3.3 探究不同条件对CVD法制备二碲化钼的影响 | 第36-40页 |
| 3.3.1 不同生长温度对于MoTe_2薄膜生长的影响 | 第36-37页 |
| 3.3.2 钼源与碲源用量对与MoTe_2薄膜生长的影响 | 第37-38页 |
| 3.3.3 不同的衬底与钼源间距对于二碲化钼生长的影响 | 第38-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 4 二硫化钼/二碲化钼异质结 | 第41-48页 |
| 4.1 二维材料异质结引论 | 第41-42页 |
| 4.2 MoS_2/MoTe_2异质结的制备 | 第42-45页 |
| 4.2.1 实验材料及工具 | 第42页 |
| 4.2.2 利用机械剥离法制备单层二硫化钼薄膜 | 第42-43页 |
| 4.2.3 转移制备成MoS_2/MoTe_2异质结 | 第43-44页 |
| 4.2.4 MoS_2/MoTe_2异质结的层厚表征 | 第44-45页 |
| 4.3 二硫化钼-二碲化钼异质结的拉曼表征和光致发光表征分析 | 第45-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 5 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第52-54页 |
| 学位论文数据集 | 第54页 |
