应用于WLAN 802.11b/g的SiGe BiCMOS功率放大器设计研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 前言 | 第11-16页 |
| ·射频技术的发展及功率放大器的地位 | 第11-13页 |
| ·国内外研究现状 | 第13-14页 |
| ·本文主要研究内容 | 第14-15页 |
| ·本文组织结构 | 第15-16页 |
| 第二章 功率放大器介绍 | 第16-35页 |
| ·引言 | 第16页 |
| ·功率放大器的分类 | 第16-20页 |
| ·A类功率放大器 | 第16-17页 |
| ·B类功率放大器 | 第17页 |
| ·C类功率放大器 | 第17-18页 |
| ·D类功率放大器 | 第18页 |
| ·E类功率放大器 | 第18-19页 |
| ·三次谐波增强型F类功率放大器 | 第19-20页 |
| ·S类功率放大器 | 第20页 |
| ·功率放大器的性能参数 | 第20-24页 |
| ·输出功率 | 第20-21页 |
| ·功率增益 | 第21页 |
| ·效率 | 第21-22页 |
| ·线性度 | 第22-24页 |
| ·阻抗匹配理论 | 第24-34页 |
| ·阻抗匹配在功放设计中的重要性 | 第24-26页 |
| ·史密斯圆图 | 第26-29页 |
| ·匹配网络分析 | 第29-34页 |
| ·本章总结 | 第34-35页 |
| 第三章 SiGe HBT技术 | 第35-40页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·硅能带理论及SiGe HBT发展史 | 第35-38页 |
| ·SiGe HBT在功率放大器上的应用 | 第38-39页 |
| ·本章总结 | 第39-40页 |
| 第四章 SiGe BiCMOS功率放大器的设计 | 第40-57页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·电路各主要指标分析 | 第40-41页 |
| ·电路设计 | 第41-47页 |
| ·主电路设计 | 第41-45页 |
| ·阻抗匹配电路设计 | 第45页 |
| ·偏置电路设计 | 第45-46页 |
| ·完整电路结构 | 第46-47页 |
| ·全集成电路仿真结果 | 第47-51页 |
| ·封装电路仿真结果 | 第51-56页 |
| ·封装模型 | 第51-52页 |
| ·仿真结果 | 第52-56页 |
| ·本章总结 | 第56-57页 |
| 第五章 功率放大器版图及后仿真 | 第57-67页 |
| ·全集成电路版图设计及后仿真 | 第57-62页 |
| ·版图设计考虑 | 第57-58页 |
| ·后仿真结果及分析 | 第58-62页 |
| ·封装电路版图设计及后仿真 | 第62-66页 |
| ·版图设计考虑 | 第62页 |
| ·后仿真结果及分析 | 第62-66页 |
| ·本章总结 | 第66-67页 |
| 第六章 测试结果及分析 | 第67-73页 |
| ·全集成电路测试结果及分析 | 第67-70页 |
| ·封装电路测试结果及分析 | 第70-73页 |
| 第七章 总结与展望 | 第73-75页 |
| ·总结 | 第73页 |
| ·展望 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 攻读硕士学位期间的论文发表与专利申请情况 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
