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GaN基光栅外腔可调谐半导体激光器及其主动锁模研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第9-16页
    1.1 可调谐半导体激光器简述第10-13页
    1.2 GaN基光栅外腔半导体激光器的研究现状第13-14页
    1.3 本文主要研究内容第14-16页
第二章 基本理论介绍第16-37页
    2.1 半导体激光器的基本原理第16-22页
        2.1.1 半导体激光器的物理基础第16-19页
        2.1.2 泵浦源激励第19-20页
        2.1.3 谐振腔第20-22页
    2.2 光栅外腔半导体激光器的基本原理第22-28页
        2.2.1 模式选择第24-25页
        2.2.2 线宽压窄第25-26页
        2.2.3 波长调谐第26-28页
    2.3 锁模基本原理及方法第28-37页
        2.3.1 锁模基本原理第28-31页
        2.3.2 锁模方法第31-37页
第三章 GaN基光栅外腔半导体激光器实验研究第37-51页
    3.1 光栅外腔半导体激光器实验构型第37-41页
        3.1.1 元件选择第37-39页
        3.1.2 光路系统与机械结构第39-41页
        3.1.3 测试系统第41页
    3.2 光栅外腔半导体激光器测试及结果分析第41-51页
        3.2.1 光栅外腔半导体激光器的调试第41-42页
        3.2.2 600刻线光栅的外腔调谐实验第42-46页
        3.2.3 1800刻线光栅的外腔调谐实验第46-47页
        3.2.4 大注入电流下的外腔调谐实验第47-51页
第四章 GaN基主动锁模光栅外腔半导体激光器研究第51-62页
    4.1 主动锁模输出特性测试系统第51-55页
        4.1.1 测量系统的组成第52页
        4.1.2 测量中所用仪器及精度第52-55页
    4.2 主动锁模实验测试结果第55-59页
    4.3 连续和锁模脉冲工作的实验结果对比第59-62页
第五章 总结与展望第62-64页
硕士期间论文发表情况第64-65页
致谢语第65-66页
参考文献第66-69页

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