| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-9页 |
| 1 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 课题目的与意义 | 第9-10页 |
| 1.2 半导体纳米线简介 | 第10-14页 |
| 1.2.1 半导体纳米线的制备方法 | 第10-12页 |
| 1.2.2 半导体纳米线的优势 | 第12页 |
| 1.2.3 基于半导体纳米线的光电子器件 | 第12-14页 |
| 1.3 半导体纳米线激光器研究进展 | 第14-18页 |
| 1.4 半导体纳米线激光器波长调节研究进展 | 第18-22页 |
| 1.5 本论文的主要工作 | 第22-24页 |
| 2 单根渐变带隙硫硒化镉纳米线中激射波长和模式宽范围可控变化研究 | 第24-42页 |
| 2.1 渐变带隙硫硒化镉纳米线制备 | 第24-29页 |
| 2.1.1 气液固法简介 | 第24-26页 |
| 2.1.2 移动源VLS法生长渐变带隙硫硒化镉纳米线 | 第26-29页 |
| 2.2 硫硒化镉纳米线激光器的出射波长可控变化 | 第29-37页 |
| 2.3 控制激光器FSR与模式 | 第37-38页 |
| 2.4 阈值和增益特性研究 | 第38-42页 |
| 3 引入可控散射点控制半导体纳米线激光波长 | 第42-48页 |
| 3.1 研究现状 | 第42-43页 |
| 3.2 引入可控散射点控制纳米线激光波长 | 第43-48页 |
| 4 总结与展望 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-54页 |
| 硕士期间发表论文 | 第54页 |