含铋材料的角分辨光电子能谱研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 概述 | 第11-12页 |
| 1.2 热电材料 | 第12-18页 |
| 1.3 拓扑绝缘体 | 第18-22页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第22-23页 |
| 第2章 实验技术 | 第23-63页 |
| 2.1 概述 | 第23页 |
| 2.2 角分辨光电子能谱 | 第23-52页 |
| 2.2.1 基本原理 | 第24-30页 |
| 2.2.2 光电发射理论 | 第30-41页 |
| 2.2.3 超高真空 | 第41-44页 |
| 2.2.4 光源 | 第44-48页 |
| 2.2.5 多自由度样品架 | 第48页 |
| 2.2.6 电子能量分析器 | 第48-50页 |
| 2.2.7 样品制备 | 第50-52页 |
| 2.2.8 一般实验流程 | 第52页 |
| 2.3 分子束外延 | 第52-55页 |
| 2.4 扫描隧道显微镜 | 第55-59页 |
| 2.5 本文实验仪器简介 | 第59-63页 |
| 第3章 CsBi_4Te_6的电子结构研究 | 第63-73页 |
| 3.1 研究背景 | 第63-66页 |
| 3.2 CsBi_4Te_6单晶的制备 | 第66页 |
| 3.3 实验结果和讨论 | 第66-71页 |
| 3.4 本章小结 | 第71-73页 |
| 第4章 Bi(110)薄膜的电子结构研究 | 第73-87页 |
| 4.1 研究背景 | 第73-79页 |
| 4.1.1 Bi薄膜 | 第73-78页 |
| 4.1.2 黑磷 | 第78-79页 |
| 4.2 Bi (110)薄膜的制备 | 第79-80页 |
| 4.3 实验结果和讨论 | 第80-84页 |
| 4.4 本章小结 | 第84-87页 |
| 第5章 总结与展望 | 第87-91页 |
| 参考文献 | 第91-101页 |
| 致谢 | 第101-103页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第103页 |
