| 摘要 | 第10-14页 |
| ABSTRACT | 第14-19页 |
| 第一章 绪论 | 第20-28页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第20-25页 |
| 1.1.1 课题研究背景 | 第20页 |
| 1.1.2 课题研究意义 | 第20-21页 |
| 1.1.3 国内外研究进展和分析 | 第21-25页 |
| 1.2 论文的主要内容 | 第25-26页 |
| 1.3 小结 | 第26-28页 |
| 第二章 基于InGaAs(P)/InP APD的单光子探测技术原理 | 第28-40页 |
| 2.1 InGaAs(P)/InPAPD单光子探测原理 | 第28-30页 |
| 2.2 基于APD的单光子探测器的基本性能指标 | 第30-34页 |
| 2.3 基于APD的单光子探测器的工作模式 | 第34-38页 |
| 2.3.1 自由运转模式 | 第34-36页 |
| 2.3.2 门控模式 | 第36-38页 |
| 2.4 小结 | 第38-40页 |
| 第三章 基于InGaAs(P)/InP APD的自由运转单光子探测器 | 第40-58页 |
| 3.1 用于自由运转探测器的主动猝灭主动恢复技术 | 第40-49页 |
| 3.1.1 雪崩提取电路 | 第40-44页 |
| 3.1.2 偏压控制电路 | 第44-49页 |
| 3.1.3 不同方案的电路性能 | 第49页 |
| 3.2 改进的低延迟主动猝灭主动恢复电路 | 第49-53页 |
| 3.3 自由运转单光子探测器探测性能 | 第53-57页 |
| 3.4 小结 | 第57-58页 |
| 第四章 基于InGaAs(P)/InP APD的门控单光子探测器 | 第58-74页 |
| 4.1 基于低延迟主动猝灭技术的门控单光子探测器 | 第58-61页 |
| 4.2 结电容平衡与低通滤波结合的高速门控单光子探测器 | 第61-70页 |
| 4.2.1 脉宽可调的脉冲成型电路 | 第61-63页 |
| 4.2.2 门控信号放大电路 | 第63-65页 |
| 4.2.3 门控微分噪声抑制和雪崩提取电路 | 第65-70页 |
| 4.3 高速门控单光子探测器探测性能 | 第70-72页 |
| 4.4 小结 | 第72-74页 |
| 第五章 单光子探测器性能指标的测量和表征 | 第74-124页 |
| 5.1 单光子探测器性能测试系统 | 第74-75页 |
| 5.2 基于FPGA的性能指标测试模块 | 第75-79页 |
| 5.3 雪崩脉冲特性 | 第79-89页 |
| 5.3.1 自由运转单光子探测器的雪崩脉冲测量方法及其特性 | 第79-85页 |
| 5.3.2 高速门控单光子探测器的雪崩脉冲特性 | 第85-89页 |
| 5.4 有效门宽 | 第89-90页 |
| 5.5 时间抖动 | 第90-95页 |
| 5.5.1 自由运转单光子探测器的时间抖动特性 | 第92-93页 |
| 5.5.2 高速门控单光子探测器的时间抖动特性 | 第93-95页 |
| 5.6 暗计数 | 第95-99页 |
| 5.6.1 测量和表征方法 | 第95-97页 |
| 5.6.2 影响因素 | 第97-99页 |
| 5.7 探测效率和后脉冲概率 | 第99-119页 |
| 5.7.1 测量和表征方法 | 第99-110页 |
| 5.7.2 探测效率的影响因素 | 第110-111页 |
| 5.7.3 后脉冲概率的影响因素 | 第111-119页 |
| 5.8 多光子入射时的探测性能 | 第119-122页 |
| 5.9 小结 | 第122-124页 |
| 第六章 自由运转和高速门控单光子探测器性能比较 | 第124-136页 |
| 6.1 基于时间相关单光子计数的激光测距系统 | 第124-125页 |
| 6.2 性能比较 | 第125-131页 |
| 6.2.1 实际探测效率 | 第125-128页 |
| 6.2.2 暗计数和探测效率对系统性能的影响 | 第128-130页 |
| 6.2.3 后脉冲对系统性能的影响 | 第130-131页 |
| 6.3 自由运转探测器的掩蔽效应 | 第131-133页 |
| 6.4 小结 | 第133-136页 |
| 第七章 总结与展望 | 第136-140页 |
| 7.1 主要研究进展与成果 | 第136-137页 |
| 7.2 主要创新点 | 第137-138页 |
| 7.3 论文存在的不足和今后研究的方向 | 第138-140页 |
| 参考文献 | 第140-154页 |
| 致谢 | 第154-156页 |
| 攻读学位期间的科研成果、奖励及参与的科研项目 | 第156-158页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第158-159页 |
| 附录 | 第159-169页 |
