| 摘要 | 第4-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-31页 |
| 1.1 存储器简介 | 第9-13页 |
| 1.2 阻变式存储器(RRAM) | 第13-23页 |
| 1.2.1 RRAM器件单元与集成结构简介 | 第14-15页 |
| 1.2.2 RRAM器件电极与阻变层材料选择 | 第15-16页 |
| 1.2.3 RRAM的阻变类型和性能参数 | 第16-18页 |
| 1.2.4 RRAM不同机制简介 | 第18-23页 |
| 1.3 氧化石墨烯及氧化石墨烯基阻变式忆阻器简介 | 第23-29页 |
| 1.3.1 氧化石墨烯性质简介 | 第23页 |
| 1.3.2 氧化石墨烯目前在各领域的研究进展简介 | 第23-26页 |
| 1.3.3 氧化石墨烯基阻变式存储器研究现状： | 第26-29页 |
| 1.4 本论文的选题内容与研究意义 | 第29-31页 |
| 第二章 氧化石墨烯基阻变式存储器基础阻变行为探究 | 第31-42页 |
| 2.1 氧化石墨烯基阻变式存储器双极性阻变行为探究 | 第31-35页 |
| 2.1.1 器件制作过程 | 第31-32页 |
| 2.1.2 Al/GO/ITO器件基本阻变性能探究 | 第32-35页 |
| 2.2 氧化石墨烯基存储器互补阻变行为探究 | 第35-41页 |
| 2.2.1 简述 | 第35-37页 |
| 2.2.2 器件制作 | 第37页 |
| 2.2.3 器件性能测试及厚度调节对器件影响 | 第37-39页 |
| 2.2.4 厚度调节互补式行为的机制分析 | 第39-41页 |
| 2.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 利用掺杂银纳米线提高氧化石墨烯阻变器件性能及机理探究 | 第42-67页 |
| 3.1 引言 | 第42-43页 |
| 3.2 Ag/GO-NWs/ITO阻变式存储器设计思路、制备及其表征 | 第43-46页 |
| 3.2.1 器件设计思路 | 第43页 |
| 3.2.2 器件制备过程 | 第43-46页 |
| 3.3 氧化石墨烯阻变层掺杂银纳米线对器件性能影响及机制探究 | 第46-66页 |
| 3.3.1 掺入银纳米线对器件均一性稳定性优化效果与机制探究 | 第46-55页 |
| 3.3.2 掺杂银纳米线对器件转换速度影响 | 第55-57页 |
| 3.3.3 Ag纳米线自身构建导电细丝对器件产生的影响极其机制分析 | 第57-62页 |
| 3.3.4 器件机制整合 | 第62-64页 |
| 3.3.5 掺银纳米线器件的柔性应用 | 第64-66页 |
| 3.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 第四章 总结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 在学期间公开发表论文情况 | 第75页 |
