| 中文摘要 | 第4-5页 |
| 英文摘要 | 第5页 |
| 第1章 引言 | 第8-11页 |
| 1.1 二维纳米材料的重要性 | 第8页 |
| 1.2 材料计算与模拟的重要性 | 第8-9页 |
| 1.3 研究课题的选择 | 第9页 |
| 1.4 本论文的研究内容与意义 | 第9-10页 |
| 1.5 本章小结 | 第10-11页 |
| 第2章 所选课题的研究背景 | 第11-14页 |
| 2.1 缺陷石墨烯的研究概况 | 第11页 |
| 2.2 缺陷石墨烯表面金属吸附的研究概况 | 第11-12页 |
| 2.3 Gra/SiC(0001)界面输运机理研究概况 | 第12-13页 |
| 2.4 本章小结 | 第13-14页 |
| 第3章 理论基础和计算方法 | 第14-22页 |
| 3.1 密度泛函理论(DensityFunctionalTheory,DFT) | 第14-20页 |
| 3.1.1 Born-Oppenheimer近似和单电子近似 | 第14-15页 |
| 3.1.2 Hartree-Fock近似 | 第15-16页 |
| 3.1.3 密度泛函理论(DensityFunctionalTheory,DFT) | 第16-18页 |
| 3.1.4 局域密度近似(LocalDensityApproximate,LDA) | 第18页 |
| 3.1.5 广义梯度近似(GeneralGradientApproximate,GGA) | 第18-19页 |
| 3.1.6 平面波的展开与赝势波函数 | 第19-20页 |
| 3.2 过渡态理论 | 第20-21页 |
| 3.3 本章小结 | 第21-22页 |
| 第4章 金属Dy在无支撑的缺陷石墨烯表面的吸附和插入机理 | 第22-32页 |
| 4.1 引言 | 第22页 |
| 4.2 计算方法 | 第22-24页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第24-30页 |
| 4.3.1 金属Dy在无支撑的缺陷石墨烯表面的吸附 | 第24-26页 |
| 4.3.2 金属Dy在无支撑的缺陷石墨烯表面的吸附性质 | 第26-29页 |
| 4.3.3 金属Dy在无支撑的缺陷石墨烯表面的插入机理 | 第29-30页 |
| 4.4 本章小结 | 第30-32页 |
| 第5章 金属Dy在Def_Gra(buffer)/SiC(0001)表面的吸附和性质 | 第32-38页 |
| 5.1 引言 | 第32页 |
| 5.2 计算方法 | 第32-33页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第33-37页 |
| 5.3.1 金属Dy在Def_Gra(buffer)/SiC(0001)表面吸附构型 | 第33-34页 |
| 5.3.2 金属Dy在Def_Gra(buffer)/SiC(0001)表面吸附性质 | 第34-36页 |
| 5.3.3 金属Dy在SV_Gra(buffer)/Dy/SiC(0001)表面的吸附和性质 | 第36-37页 |
| 5.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第6章 未来研究设想 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-44页 |
| 致谢 | 第44-45页 |
| 在学期间公开发表论文及参加学术会议的情况 | 第45页 |
