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反场构型预电离等离子体形成过程的数值模拟研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
1 绪论第10-20页
    1.1 磁惯性约束聚变第10-12页
    1.2 磁化靶聚变第12-14页
    1.3 反场构型等离子体第14-17页
    1.4 磁化靶聚变的最新发展与存在的问题第17-20页
2. PIC/MC 模拟的一般方法第20-32页
    2.1 概述第20-21页
    2.2 PIC 基本框架第21-27页
    2.3 蒙特卡洛方法第27-32页
3. 反场构型预电离等离子体的 PIC/MC 模拟第32-42页
    3.1 物理模型简化第32-35页
    3.2 数值模型第35-42页
4. 反场构型预电离等离子体的一维隐格式 PIC/MC 模拟第42-47页
    4.1 模拟参数第42页
    4.2 Bias 磁场大小对放电的影响第42-44页
    4.3 电场强度对放电的影响第44-45页
    4.4 气压大小对放电的影响第45-47页
5. 反场构型预电离等离子体的柱坐标二维隐格式 PIC/MC 模拟第47-60页
    5.1 模拟参数第47页
    5.2 Bias 磁场大小对 PI 放电的影响第47-52页
    5.3 电场强度对放电的影响第52-56页
    5.4 气压大小对放电的影响第56-60页
6. 总结与展望第60-65页
    6.1 1D 模拟结论第60-61页
    6.2 2D Type A 模型模拟结论第61-62页
    6.3 2D Type B 模型模拟结论第62-63页
    6.4 对实验参数选取的参考意见第63页
    6.5 展望第63-65页
致谢第65-66页
参考文献第66-72页

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