| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-28页 |
| 1.1 薄膜晶体管的发展历史 | 第10-15页 |
| 1.2 薄膜晶体管的基本理论 | 第15-22页 |
| 1.2.1 薄膜晶体管的典型结构 | 第15-17页 |
| 1.2.2 薄膜晶体管的工作原理 | 第17-19页 |
| 1.2.3 薄膜晶体管的电学性能 | 第19-20页 |
| 1.2.4 薄膜晶体管的主要性能参数 | 第20-22页 |
| 1.3 现有不同类型 TFT 简介 | 第22-25页 |
| 1.4 本论文内容概述 | 第25-27页 |
| 1.5 论文纲要 | 第27-28页 |
| 第2章 薄膜晶体管的制备工艺和测试技术 | 第28-38页 |
| 2.1 薄膜晶体管衬底的清洗 | 第28-29页 |
| 2.2 薄膜的制备工艺 | 第29-35页 |
| 2.2.1 磁控溅射技术 | 第29-32页 |
| 2.2.2 电子束蒸发技术 | 第32-33页 |
| 2.2.3 等离子体增强化学气相沉积技术 | 第33-35页 |
| 2.2.4 常见化学镀膜方法简介 | 第35页 |
| 2.3 TFT 器件测试技术 | 第35-37页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜（SEM） | 第35页 |
| 2.3.2 半导体参数分析仪 | 第35-37页 |
| 2.3.3 阻抗分析仪 | 第37页 |
| 2.4 小结 | 第37-38页 |
| 第3章 壳聚糖栅介质薄膜的制备与性能表征 | 第38-47页 |
| 3.1 壳聚糖栅介质的化学结构 | 第38-40页 |
| 3.2 壳聚糖栅介质薄膜的制备 | 第40-41页 |
| 3.2.1 壳聚糖薄膜制备所需试剂与设备 | 第40页 |
| 3.2.2 壳聚糖溶液的配制 | 第40页 |
| 3.2.3 壳聚糖栅介质薄膜的制备 | 第40-41页 |
| 3.3 壳聚糖薄膜的表征与性能测试 | 第41-44页 |
| 3.3.1 壳聚糖薄膜的形貌 | 第41-42页 |
| 3.3.2 壳聚糖栅介质的电学性能 | 第42-43页 |
| 3.3.3 壳聚糖栅介质的跨导gm | 第43-44页 |
| 3.4 双电层理论 | 第44-45页 |
| 3.5 小结 | 第45-47页 |
| 第4章 以壳聚糖为栅介质的低压氧化物薄膜晶体管 | 第47-56页 |
| 4.1 实验试剂和设备 | 第47页 |
| 4.2 IZO 沟道薄膜晶体管的制备 | 第47页 |
| 4.3 壳聚糖 IZO 沟道薄膜晶体管的性能测试与讨论 | 第47-50页 |
| 4.3.1 Chitosan-IZO-TFT 的电学特性 | 第47-49页 |
| 4.3.2 Chitosan-IZO-TFT 的稳定性测试 | 第49-50页 |
| 4.4 ITO 沟道薄膜晶体管的制备 | 第50-51页 |
| 4.5 壳聚糖 ITO 沟道薄膜晶体管的性能测试与讨论 | 第51-53页 |
| 4.5.1 Chitosan-ITO-TFT 的电学特性 | 第51-53页 |
| 4.5.2 Chitosan-ITO-TFT 的稳定性测试 | 第53页 |
| 4.6 相同沟道 TFT 性能比较以及壳聚糖 TFT 的性能优势 | 第53-54页 |
| 4.7 小结 | 第54-56页 |
| 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 附录A（攻读学位期间所发表的学术论文目录） | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
