| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 ABO_3型铁电材料 | 第9-14页 |
| 1.2.1 铁电材料基本理论 | 第9-11页 |
| 1.2.2 铁电材料研究现状 | 第11-13页 |
| 1.2.3 BZT薄膜的研究进展 | 第13-14页 |
| 1.3 本论文的主要工作 | 第14-15页 |
| 第二章 薄膜的制备方法及表征手段 | 第15-23页 |
| 2.1 常见BZT薄膜的制备方法 | 第15-17页 |
| 2.1.1 济胶-凝胶法 | 第15页 |
| 2.1.2 磁控溅射法 | 第15-16页 |
| 2.1.3 脉冲激光沉积法(PLD) | 第16页 |
| 2.1.4 金属有机化学气相沉积法(MOCVD) | 第16-17页 |
| 2.2 实验方法的选择和工艺流程确定 | 第17-19页 |
| 2.2.1 实验所用的药品与设备 | 第17-18页 |
| 2.2.2 实验主要工艺流程 | 第18-19页 |
| 2.3 薄膜样品的测试和表征手段 | 第19-22页 |
| 2.3.1 X射线衍射 | 第19页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜 | 第19-20页 |
| 2.3.3 X射线能量色散谱(EDS) | 第20页 |
| 2.3.4 椭偏仪 | 第20页 |
| 2.3.5 四探针测试 | 第20-22页 |
| 2.3.6 介电性能测试与表征 | 第22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 LNO底电极和本征BZT薄膜的制备与电学性能研究 | 第23-42页 |
| 3.1 LNO底电极薄膜的制备 | 第23-26页 |
| 3.1.1 LNO溶胶-凝胶制备工艺 | 第23-24页 |
| 3.1.2 LNO薄膜制备工艺和退火工艺 | 第24页 |
| 3.1.3 LNO薄膜表征 | 第24-25页 |
| 3.1.4 LNO薄膜电阻率的测量 | 第25-26页 |
| 3.2 本征BZT薄膜的制备 | 第26-29页 |
| 3.2.1 本征BZT溶胶制备工艺的确定 | 第26-27页 |
| 3.2.2 BZT薄膜制备工艺和退火工艺 | 第27-28页 |
| 3.2.3 BZT薄膜结构表征 | 第28-29页 |
| 3.3 BZT薄膜顶电极的制备 | 第29页 |
| 3.4 BZT薄膜电学性能测试与分析 | 第29-40页 |
| 3.4.1 薄膜介电常数测试与分析 | 第29-32页 |
| 3.4.2 薄膜介电损耗测试与分析 | 第32-34页 |
| 3.4.3 薄膜漏电流测试与分析 | 第34-38页 |
| 3.4.4 膜厚对BZT薄膜介电特性影响研究 | 第38-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 掺杂BZT薄膜电学性能探究 | 第42-54页 |
| 4.1 掺杂BZT薄膜的实验设计 | 第42-44页 |
| 4.1.1 BZT薄膜掺杂元素的选择 | 第42-43页 |
| 4.1.2 掺杂BZT薄膜的制备工艺流程 | 第43-44页 |
| 4.2 Co元素掺杂BZT薄膜性能研究 | 第44-49页 |
| 4.2.1 Co掺杂BZT薄膜的结构分析 | 第44-45页 |
| 4.2.2 Co掺杂BZT薄膜的成分分析 | 第45-46页 |
| 4.2.3 Co掺杂BZT薄膜的介电特性分析 | 第46-48页 |
| 4.2.4 Co掺杂BZT薄膜的漏电流大小分析 | 第48-49页 |
| 4.3 Cr元素掺杂BZT薄膜性能研究 | 第49-53页 |
| 4.3.1 Cr掺杂BZT薄膜的结构分析 | 第49页 |
| 4.3.2 Cr掺杂BZT薄膜的成分分析 | 第49-50页 |
| 4.3.3 Cr掺杂BZT薄膜的介电特性分析 | 第50-52页 |
| 4.3.4 Cr掺杂BZT薄膜的漏电流大小分析 | 第52-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 总结与展望 | 第54-56页 |
| 工作总结 | 第54-55页 |
| 工作展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-66页 |
| 致谢 | 第66页 |