| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 量子霍尔效应与量子反常霍尔效应 | 第11-17页 |
| 1.1.1 Laughlin规范理论 | 第12-14页 |
| 1.1.2 TKNN拓扑不变量：第一陈数 | 第14-15页 |
| 1.1.3 量子反常霍尔效应 | 第15-17页 |
| 1.2 量子自旋霍尔效应 | 第17-19页 |
| 1.3 三维拓扑绝缘体 | 第19-22页 |
| 1.4 论文结构 | 第22页 |
| 参考文献 | 第22-25页 |
| 第二章 理论基础和计算方法 | 第25-49页 |
| 2.1 拓扑不变量与拓扑能带理论 | 第25-28页 |
| 2.2 整数场方法 | 第28-30页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第30-38页 |
| 2.3.1 Born-Oppenheimer近似 | 第30-32页 |
| 2.3.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第32-33页 |
| 2.3.3 Kohn-Sham方程 | 第33-34页 |
| 2.3.4 交换关联泛函 | 第34-38页 |
| 2.4 计算软件 | 第38-39页 |
| 2.5 核多项式方法 | 第39-46页 |
| 2.5.1 切比雪夫多项式 | 第40-41页 |
| 2.5.2 系数μ_n的计算 | 第41-43页 |
| 2.5.3 吉布斯振荡以及核多项式 | 第43-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 第三章 α-graphyne晶格中的二维拓扑绝缘体 | 第49-57页 |
| 3.1 研究背景 | 第49-50页 |
| 3.2 模型和方法 | 第50-53页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第53-55页 |
| 3.4 小结 | 第55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 第四章 安德森无序对β-graphyne薄片局域化性质的影响 | 第57-67页 |
| 4.1 研究背景 | 第57-59页 |
| 4.2 模型和方法 | 第59-61页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第61-64页 |
| 4.4 小结 | 第64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 第五章 Rashba自旋轨道耦合作用对正方-八边形晶格拓扑性质的影响 | 第67-77页 |
| 5.1 研究背景 | 第67-69页 |
| 5.2 模型和方法 | 第69-72页 |
| 5.3 结果和讨论 | 第72-75页 |
| 5.4 小结 | 第75页 |
| 参考文献 | 第75-77页 |
| 第六章 超立方烷型晶格中的三维拓扑绝缘体 | 第77-87页 |
| 6.1 研究背景 | 第77-79页 |
| 6.2 模型和方法 | 第79-81页 |
| 6.3 结果和讨论 | 第81-84页 |
| 6.4 小结 | 第84页 |
| 参考文献 | 第84-87页 |
| 第七章 X_8(X=C,Si,Ge,Sn,Pb)晶格结构及拓扑性质的第一性原理研究 | 第87-99页 |
| 7.1 研究背景 | 第87-89页 |
| 7.2 模型和方法 | 第89-90页 |
| 7.3 结果和讨论 | 第90-96页 |
| 7.4 小结 | 第96页 |
| 参考文献 | 第96-99页 |
| 第八章 论文总结与展望 | 第99-101页 |
| 致谢 | 第101-103页 |
| 博士期间已发表及待发表的学术论文 | 第103页 |
