| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 半导体氧化物气体传感器的基本工作原理 | 第11-13页 |
| 1.3 影响半导体氧化物气体传感器性能的关键要素及分等级结构的优势 | 第13-15页 |
| 1.4 二元金属氧化物（AB_2O_4）纳米材料的国内外研究进展 | 第15-16页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 分等级结构的多孔ZnO/ZnCo_2O_4中空球的合成及其气敏特性 | 第18-32页 |
| 2.1 实验部分 | 第18-21页 |
| 2.1.1 材料的制备 | 第18-19页 |
| 2.1.2 材料的表征 | 第19页 |
| 2.1.3 气敏元件的制作及气敏特性的测试方法 | 第19-21页 |
| 2.2 结果与讨论 | 第21-31页 |
| 2.2.1 材料的物相与微观结构分析 | 第21-27页 |
| 2.2.2 气敏特性分析 | 第27-30页 |
| 2.2.3 气敏机理讨论 | 第30-31页 |
| 2.3 小结 | 第31-32页 |
| 第3章 分等级结构的多孔ZnFe_2O_4纳米球的合成及其气敏特性 | 第32-42页 |
| 3.1 实验部分 | 第32-33页 |
| 3.1.1 材料的制备 | 第32页 |
| 3.1.2 材料的表征 | 第32-33页 |
| 3.1.3 气敏元件的制作及气敏特性的测试方法 | 第33页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第33-41页 |
| 3.2.1 材料的物相与微观结构分析 | 第33-36页 |
| 3.2.2 气敏特性测试 | 第36-41页 |
| 3.2.3 气敏机理讨论 | 第41页 |
| 3.3 小结 | 第41-42页 |
| 第4章 分等级结构的核-壳ZnFe_2O_4微球的合成及其气敏特性 | 第42-56页 |
| 4.1 实验部分 | 第42-43页 |
| 4.1.1 材料的制备 | 第42页 |
| 4.1.2 材料的表征 | 第42-43页 |
| 4.1.3 气敏元件的制作及气敏特性的测试方法 | 第43页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第43-54页 |
| 4.2.1 材料的物相与微观结构分析 | 第43-50页 |
| 4.2.2 气敏特性测试 | 第50-53页 |
| 4.2.3 气敏机理讨论 | 第53-54页 |
| 4.3 小结 | 第54-56页 |
| 第五章 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-68页 |
| 作者简介 | 第68-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
