分子阈下谐波取向效应的理论研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 高次谐波的产生及特性 | 第10-14页 |
| 1.2.1 多光子电离 | 第12页 |
| 1.2.2 隧穿电离 | 第12页 |
| 1.2.3 越垒电离 | 第12页 |
| 1.2.4 分子的两中心干涉效应 | 第12-13页 |
| 1.2.5 分子的高次谐波 | 第13-14页 |
| 1.3 高次谐波的应用 | 第14-15页 |
| 1.4 本文主要内容 | 第15-17页 |
| 第二章 研究方法 | 第17-27页 |
| 2.1 半经典三步模型理论 | 第17-18页 |
| 2.2 Lewenstein强场近似模型理论 | 第18-22页 |
| 2.3 薛定谔方程的数值求解(谱方法) | 第22-24页 |
| 2.3.1 虚实演化 | 第23-24页 |
| 2.3.2 算符劈裂 | 第24页 |
| 2.4 小结 | 第24-27页 |
| 第三章 H分子与共振相关的阈下谐波的取向效应 | 第27-43页 |
| 3.1 引言 | 第27-28页 |
| 3.2 数值和解析方法 | 第28-30页 |
| 3.3 数值计算结果 | 第30-42页 |
| 3.3.1 初始态为基态结果 | 第30-33页 |
| 3.3.2 数值分析 | 第33-37页 |
| 3.3.3 解析研究 | 第37-39页 |
| 3.3.4 初始态为第一激发态数值结果和分析 | 第39-42页 |
| 3.4 结论 | 第42-43页 |
| 第四章 势场对近域谐波辐射的影响 | 第43-53页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 近阈谐波的短轨道禁戒现象 | 第43-45页 |
| 4.3 数值和解析方法 | 第45-47页 |
| 4.3.1 数值方法 | 第45-46页 |
| 4.3.2 解析方法 | 第46-47页 |
| 4.4 数值结果讨论 | 第47-51页 |
| 4.5 结论 | 第51-53页 |
| 总结与展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 攻读学位期间取得的科研成果 | 第63页 |
