| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第15-30页 |
| 1.1 引言 | 第15-16页 |
| 1.2 二维材料的制备与分类 | 第16-20页 |
| 1.2.1 二维材料的类型 | 第16-18页 |
| 1.2.2 二维材料的制备 | 第18-20页 |
| 1.3 二维材料的性质及应用 | 第20-26页 |
| 1.3.1 单层结构中的电子结构变化 | 第21-22页 |
| 1.3.2 电子结构的边际效应 | 第22页 |
| 1.3.3 表面结构对能带结构的调整 | 第22-23页 |
| 1.3.4 二维结构的热电性质 | 第23-25页 |
| 1.3.5 多层组装材料及其应用 | 第25-26页 |
| 1.4 本文研究的目的、内容和方法 | 第26-30页 |
| 1.4.1 研究的目的与意义 | 第26-27页 |
| 1.4.2 研究方法 | 第27-28页 |
| 1.4.3 研究内容 | 第28-30页 |
| 第2章 二维IVB族金属卤氮化物的电子结构及其光解水性能 | 第30-44页 |
| 2.1 引言 | 第30-31页 |
| 2.2 半导体光催化基本原理 | 第31-32页 |
| 2.3 计算方法 | 第32-35页 |
| 2.4 结果分析与讨论 | 第35-43页 |
| 2.4.1 单层MNX的结构及其稳定性 | 第35-38页 |
| 2.4.2 单层MNX的电子结构 | 第38-40页 |
| 2.4.3 单层MNX的光催化分解水及其能带工程 | 第40-43页 |
| 2.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第3章 二维单层金属硫属代亚磷酸盐的电子结构及其光解水性能 | 第44-57页 |
| 3.1 引言 | 第44页 |
| 3.2 计算方法 | 第44-45页 |
| 3.3 结果分析与讨论 | 第45-55页 |
| 3.3.1 单层APX_3的结构及其稳定性 | 第45-49页 |
| 3.3.2 单层APX_3的电子结构 | 第49-53页 |
| 3.3.3 单层APX_3的能带位置及其光催化特性 | 第53-54页 |
| 3.3.4 单层APX_3的光吸收特性 | 第54-55页 |
| 3.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 第4章 二维ScN和YN纳米片的电子结构及其光学性质研究 | 第57-66页 |
| 4.1 引言 | 第57-58页 |
| 4.2 计算细节 | 第58页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第58-65页 |
| 4.3.1 ScN和YN纳米片的晶格结构 | 第58-60页 |
| 4.3.2 ScN和YN纳米片的稳定性分析 | 第60-61页 |
| 4.3.3 ScN和YN纳米片的电子结构 | 第61-64页 |
| 4.3.4 ScN和YN纳米片的光学性质 | 第64-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第5章 BiCuSeO及其二维结构的热电性质研究 | 第66-80页 |
| 5.1 引言 | 第66-67页 |
| 5.2 理论与计算方法 | 第67-69页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第69-79页 |
| 5.3.1 块体BiCuSeO的电子结构与热电性质 | 第69-72页 |
| 5.3.2 BiCuSeO纳米片的电子结构与热电性质 | 第72-79页 |
| 5.4 本章小结 | 第79-80页 |
| 结论与展望 | 第80-83页 |
| 参考文献 | 第83-101页 |
| 附录A 攻读学位期间发表的论文 | 第101-102页 |
| 致谢 | 第102页 |
