| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 课题研究背景、目的及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 共轭半导体聚合物应用与发展概述 | 第10-13页 |
| 1.2.1 聚合物种类 | 第10-11页 |
| 1.2.2 薄膜结构器件应用与发展 | 第11页 |
| 1.2.3 纳米纤维结构器件应用与发展 | 第11-13页 |
| 1.3 有机半导体聚合物光探测器件结构及工作原理 | 第13-15页 |
| 1.3.1 光探测器件的结构 | 第13-14页 |
| 1.3.2 光探测器的工作原理 | 第14-15页 |
| 1.3.3 提高光探测器性能的方法 | 第15页 |
| 1.4 静电纺丝技术概述 | 第15-21页 |
| 1.4.1 静电纺丝技术原理 | 第16-17页 |
| 1.4.2 同轴静电纺丝技术 | 第17-18页 |
| 1.4.3 定向纳米纤维的制备方法 | 第18-20页 |
| 1.4.4 影响电纺纳米纤维形貌的因素 | 第20-21页 |
| 1.5 本课题研究的主要内容 | 第21-22页 |
| 第2章 实验方法 | 第22-27页 |
| 2.1 实验原料及设备 | 第22-23页 |
| 2.2 P3HT 及其复合纳米纤维的制备 | 第23页 |
| 2.3 P3HT 及其复合纳米纤维光电器件的制备 | 第23-24页 |
| 2.4 纳米纤维的表征 | 第24-27页 |
| 2.4.1 扫描电子显微图片（SEM） | 第24-25页 |
| 2.4.2 X 射线衍射谱图（XRD） | 第25页 |
| 2.4.3 红外光谱（FTIR） | 第25页 |
| 2.4.4 紫外-可见光吸收光谱（UV-VIS） | 第25页 |
| 2.4.5 光致发光光谱（PL） | 第25页 |
| 2.4.6 光电性能测试 | 第25-27页 |
| 第3章 P3HT 及其复合纳米纤维的制备及表征 | 第27-39页 |
| 3.1 纳米纤维的制备及形貌表征 | 第27-32页 |
| 3.1.1 P3HT 纳米纤维的制备及形貌表征 | 第27-29页 |
| 3.1.2 P3HT/PCBM 复合纳米纤维的制备及形貌表征 | 第29-32页 |
| 3.2 红外光谱分析 | 第32-33页 |
| 3.3 紫外-可见吸收光谱分析 | 第33-35页 |
| 3.4 光致发光光谱分析 | 第35-36页 |
| 3.5 X 射线衍射图谱分析 | 第36-37页 |
| 3.6 本章小结 | 第37-39页 |
| 第4章 P3HT 及其复合纳米纤维的光电性能 | 第39-53页 |
| 4.1 PCBM 的加入对光电性能的影响 | 第39-42页 |
| 4.1.1 光暗电流比 | 第39-40页 |
| 4.1.2 响应时间 | 第40-41页 |
| 4.1.3 输出特性曲线 | 第41-42页 |
| 4.2 纤维排列方式对光电性能的影响 | 第42-45页 |
| 4.2.1 纤维排列方式的控制 | 第42-43页 |
| 4.2.2 光暗电流比 | 第43-44页 |
| 4.2.3 响应时间 | 第44页 |
| 4.2.4 输出特性曲线 | 第44-45页 |
| 4.3 溶液浓度对光电性能的影响 | 第45-48页 |
| 4.3.1 光暗电流比 | 第45-46页 |
| 4.3.2 响应时间 | 第46-47页 |
| 4.3.3 输出特性曲线 | 第47-48页 |
| 4.4 退火处理对光电性能的影响 | 第48-51页 |
| 4.4.1 光暗电流比 | 第49页 |
| 4.4.2 响应时间 | 第49-50页 |
| 4.4.3 输出特性曲线 | 第50-51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-53页 |
| 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 致谢 | 第59页 |