| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-29页 |
| 1.1 离子交换法制备半导体纳米晶的原理及研究进展 | 第13-20页 |
| 1.1.1 离子交换法制备单一半导体纳米晶的原理及影响因素研究进展 | 第14-17页 |
| 1.1.2 离子交换反应制备单一半导体纳米结构的研究进展 | 第17-20页 |
| 1.2 离子交换法制备半导体/半导体、金属/半导体异质纳米晶的研究进展 | 第20-25页 |
| 1.2.1 离子交换法制备半导体/半导体异质纳米晶 | 第20-24页 |
| 1.2.2 离子交换法制备金属/半导体基异质纳米晶 | 第24-25页 |
| 1.3 离子交换反应制备半导体基纳米晶存在的科学问题 | 第25-26页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容和研究目的 | 第26-29页 |
| 第二章 离子交换法制备金属/半导体核壳纳米晶的高压相变研究 | 第29-39页 |
| 2.1 引言 | 第29-30页 |
| 2.1.1 半导体纳米晶的高压相变研究进展 | 第29-30页 |
| 2.1.2 本章研究内容和研究目的 | 第30页 |
| 2.2 实验部分 | 第30-32页 |
| 2.2.1 化学试剂 | 第30页 |
| 2.2.2 S前驱体的制备 | 第30页 |
| 2.2.3 Au@CdS核壳纳米晶的合成 | 第30-31页 |
| 2.2.4 Au@CdS核壳纳米晶高压相变的XRD表征 | 第31页 |
| 2.2.5 电子显微镜LRTEM和HRTEM表征 | 第31-32页 |
| 2.2.6 高压Raman散射表征 | 第32页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第32-38页 |
| 2.3.1 结构表征 | 第32-34页 |
| 2.3.2 Au@CdS核壳纳米晶的相变表征 | 第34-38页 |
| 2.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 离子交换法制备Au@Cu2-xS核壳纳米晶：形貌、组分调控及光热效应应用研究 | 第39-59页 |
| 3.1. 引言 | 第39-40页 |
| 3.2. 实验部分 | 第40-44页 |
| 3.2.1 化学试剂 | 第40页 |
| 3.2.2 Au@Cu_(2-x)S纳米晶的制备 | 第40-42页 |
| 3.2.3 Au@Cu2S的结构表征，光热转化表征及生物应用 | 第42-44页 |
| 3.3. 结果与讨论 | 第44-57页 |
| 3.3.1 Au@Cu_(2-x)S的结构和光学性质 | 第44-52页 |
| 3.3.2 Au@Cu_(2-x)S纳米晶的光热转化 | 第52-55页 |
| 3.3.3 Au@Cu_(2-x)S纳米晶的光热疗应用 | 第55-57页 |
| 3.4. 本章小结 | 第57-59页 |
| 第四章 离子交换反应热力学和动力学调控制备Au/CdS异质纳米晶及光电性能影响 | 第59-71页 |
| 4.1 配体对离子交换反应制备半导体纳米晶的影响 | 第59-60页 |
| 4.1.1 膦配体对离子交换反应在半导体基纳米晶制备的影响 | 第59-60页 |
| 4.2 实验部分 | 第60-62页 |
| 4.2.1 化学试剂 | 第60页 |
| 4.2.2 S前驱体的制备 | 第60页 |
| 4.2.3 Ag2S纳米晶的制备 | 第60页 |
| 4.2.4 Au@Ag2S核壳纳米晶的制备 | 第60-61页 |
| 4.2.5 膦配体促进离子交换反应 | 第61页 |
| 4.2.6 Au@CdS核壳纳米晶的制备 | 第61页 |
| 4.2.7 Au/CdS异质结构纳米晶的制备 | 第61页 |
| 4.2.8 仪器与表征 | 第61页 |
| 4.2.9 金属/半导体异质结构纳米晶的光催化分解水制氢 | 第61-62页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第62-69页 |
| 4.3.1 离子交换反应热力学调控制备金属/半导体纳米晶 | 第62-66页 |
| 4.3.2 离子交换反应动力学（温度调控）制备Au/CdS异质纳米晶 | 第66-68页 |
| 4.3.3 Au/CdS异质结构的演变对光催化产氢性能的影响研究 | 第68-69页 |
| 4.4 本章小结 | 第69-71页 |
| 第五章 离子交换法普适制备半导体基空心和Yolk-shell异质纳米结构 | 第71-83页 |
| 5.1 引言 | 第71-73页 |
| 5.1.1 Yolk-Shell(Y-S)结构纳米晶的制备 | 第71-72页 |
| 5.1.2 离子交换反应中纳米晶形貌演变的研究意义 | 第72-73页 |
| 5.2 实验部分 | 第73-75页 |
| 5.2.1 化学试剂 | 第73页 |
| 5.2.2 合成部分 | 第73-75页 |
| 5.2.3 结构表征方法 | 第75页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第75-81页 |
| 5.3.1 阴离子交换反应制备空心结构 | 第75-77页 |
| 5.3.2 Y-S结构的制备 | 第77-81页 |
| 5.4 本章小结 | 第81-83页 |
| 第六章 水相离子氧化腐蚀法制备半导体二维单晶纳米片 | 第83-91页 |
| 6.1 引言 | 第83-84页 |
| 6.1.1 离子腐蚀在半导体基纳米晶制备中的应用 | 第83页 |
| 6.1.2 本章的研究内容及研究意义 | 第83-84页 |
| 6.2 实验部分 | 第84-85页 |
| 6.2.1 化学试剂 | 第84页 |
| 6.2.2 Bi_2Te_3纳米片的制备 | 第84页 |
| 6.2.3 Bi_2Te_3纳米片的离子氧化腐蚀 | 第84页 |
| 6.2.4 仪器与表征 | 第84-85页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第85-90页 |
| 6.3.1 水热反应制备得到Bi_2Te_3纳米片的结构表征 | 第85-86页 |
| 6.3.2 离子腐蚀对Bi_2Te_3纳米片形貌的调控 | 第86-90页 |
| 6.4 本章小结 | 第90-91页 |
| 结论和展望 | 第91-93页 |
| 1. 结论 | 第91-92页 |
| 2. 展望 | 第92-93页 |
| 参考文献 | 第93-115页 |
| 博士期间发表论文与研究成果 | 第115-119页 |
| 致谢 | 第119-120页 |
