| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 MoS_2的结构、性质及应用 | 第11-15页 |
| 1.2.1 MoS_2的结构 | 第12-14页 |
| 1.2.2 MoS_2的性质及应用 | 第14-15页 |
| 1.3 MoS_2纳米管的结构、性质及应用 | 第15-17页 |
| 1.3.1 MoS_2纳米管结构 | 第15-16页 |
| 1.3.2 MoS_2纳米管的性质及应用 | 第16-17页 |
| 1.4 二维材料的改性研究 | 第17-18页 |
| 1.4.1 MoS_2的复合改性方法 | 第17-18页 |
| 1.4.2 MoS_2的缺陷研究 | 第18页 |
| 1.5 本文研究目的及内容 | 第18-20页 |
| 第2章 理论基础与计算方法 | 第20-29页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 第一性原理 | 第20-21页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第21-27页 |
| 2.3.1 Thomas-Fermi-Dirac模型 | 第22-23页 |
| 2.3.2 Hoenberg-Kohn定理 | 第23-26页 |
| 2.3.3 Kohn-Sham定理 | 第26-27页 |
| 2.4 非平衡格林函数 | 第27-28页 |
| 2.5 ATK程序包 | 第28-29页 |
| 第3章 S空位对MoS_2纳米管电子结构的影响 | 第29-36页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 模型与计算方法 | 第29-30页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第30-35页 |
| 3.3.1 几何结构和稳定性 | 第30-31页 |
| 3.3.2 能带结构 | 第31-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第4章S空位对MoS_2纳米管输运性质的影响 | 第36-45页 |
| 4.1 引言 | 第36页 |
| 4.2 模型与计算方法 | 第36-37页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第37-43页 |
| 4.3.1 I-V特性曲线 | 第37-38页 |
| 4.3.2 静电势及透射谱分析 | 第38-43页 |
| 4.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第5章 (FeCpVCp)n对MoS_2纳米管电子结构及输运性质的影响 | 第45-56页 |
| 5.1 引言 | 第45页 |
| 5.2 模型与计算方法 | 第45-46页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第46-55页 |
| 5.3.1 几何结构和稳定性 | 第46-47页 |
| 5.3.2 磁特性 | 第47-48页 |
| 5.3.3 能带结构 | 第48-51页 |
| 5.3.4 输运性质 | 第51-55页 |
| 5.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |