| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第9-10页 |
| 1.2 本课题的研究进展 | 第10-13页 |
| 1.2.1 国外IGBT器件研究进展 | 第10-12页 |
| 1.2.2 国内IGBT器件研究进展 | 第12-13页 |
| 1.3 本文的主要工作及内容安排 | 第13-15页 |
| 第二章 IGBT器件的工作原理 | 第15-33页 |
| 2.1 IGBT器件的结构和分类 | 第15-20页 |
| 2.1.1 IGBT器件的基本结构 | 第15-17页 |
| 2.1.2 IGBT器件结构类型 | 第17-20页 |
| 2.2 IGBT器件的工作原理 | 第20-23页 |
| 2.2.1 IGBT器件的正向导通 | 第20页 |
| 2.2.2 IGBT器件的正向阻断 | 第20页 |
| 2.2.3 IGBT器件的开通与关断 | 第20-22页 |
| 2.2.4 IGBT器件的闩锁效应 | 第22-23页 |
| 2.3 仿真软件介绍 | 第23-30页 |
| 2.3.1 Sentaurus TCAD基本简介 | 第24-26页 |
| 2.3.2 Sentaurus Device仿真中的基本物理方程和模型 | 第26-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-33页 |
| 第三章 3300V/50A IGBT芯片设计 | 第33-59页 |
| 3.1 芯片设计需求 | 第33-34页 |
| 3.2 IGBT元胞结构设计 | 第34-39页 |
| 3.2.1 IGBT芯片衬底的选择 | 第34-35页 |
| 3.2.2 IGBT纵向结构设计 | 第35页 |
| 3.2.3 IGBT元胞结构的布局设计 | 第35-36页 |
| 3.2.4 IGBT元胞关键参数设计 | 第36-39页 |
| 3.3 终端结构设计 | 第39-48页 |
| 3.3.1 常用的终端结构介绍 | 第39-44页 |
| 3.3.2 终端结构仿真设计 | 第44-48页 |
| 3.4 工艺流程设计 | 第48-53页 |
| 3.4.1 工艺流程的制定 | 第48-50页 |
| 3.4.2 关键工艺技术研究 | 第50-53页 |
| 3.5 版图设计 | 第53-57页 |
| 3.5.1 第一次版图设计 | 第54-55页 |
| 3.5.2 3300V/50A IGBT芯片版图设计 | 第55-57页 |
| 3.6 本章小结 | 第57-59页 |
| 第四章 IGBT芯片测试分析 | 第59-67页 |
| 4.1 IGBT芯片静态参数测试与分析 | 第59-60页 |
| 4.2 IGBT芯片动态参数测试与分析 | 第60-62页 |
| 4.3 背面激光退火加工对芯片特性的影响 | 第62-63页 |
| 4.4 芯片可靠性考核 | 第63-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 结论与展望 | 第67-69页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第67页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 个人简历、在学期间发表的论文与研究成果 | 第73页 |