| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7页 |
| 第1章 绪论 | 第8-11页 |
| 1.1 InN材料的基本性质 | 第8-9页 |
| 1.2 InN材料的研究现状 | 第9-10页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第10页 |
| 1.4 本章小结 | 第10-11页 |
| 第2章 InN薄膜的制备及表征方法 | 第11-19页 |
| 2.1 InN薄膜的制备 | 第11-15页 |
| 2.1.1 磁控溅射技术 | 第11页 |
| 2.1.2 磁控溅射系统简介 | 第11-12页 |
| 2.1.3 反应磁控溅射沉积InN薄膜的原理 | 第12-13页 |
| 2.1.4 影响InN薄膜质量的生长因素 | 第13页 |
| 2.1.5 制备InN薄膜的具体操作 | 第13-14页 |
| 2.1.6 实验主要工艺参数 | 第14-15页 |
| 2.2 InN薄膜的表征方法 | 第15-17页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪(XRD) | 第15-16页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第16-17页 |
| 2.2.3 吸收光谱分析 | 第17页 |
| 2.3 基本研究路线 | 第17-18页 |
| 2.4 本章小结 | 第18-19页 |
| 第3章 工艺参数对InN薄膜的影响 | 第19-34页 |
| 3.1 溅射气压对InN薄膜结构与光学带隙的影响 | 第19-22页 |
| 3.1.1 溅射气压对InN薄膜结晶取向的影响 | 第19-20页 |
| 3.1.2 溅射气压对InN薄膜表面形貌的影响 | 第20-21页 |
| 3.1.3 溅射气压对InN薄膜光学带隙的影响 | 第21-22页 |
| 3.2 氮气流量比率对InN薄膜结构与光学带隙的影响 | 第22-26页 |
| 3.2.1 氮气流量比率对InN薄膜结晶取向的影响 | 第22-24页 |
| 3.2.2 氮气流量比率对InN薄膜形貌的影响 | 第24-25页 |
| 3.2.3 氮气流量比率对InN薄膜光学带隙的影响 | 第25-26页 |
| 3.3 氮气退火对InN薄膜结构与光学带隙的影响 | 第26-33页 |
| 3.3.1 氮气退火对InN薄膜结晶取向的影响 | 第26-29页 |
| 3.3.2 氮气退火对InN薄膜表面形貌的影响 | 第29-31页 |
| 3.3.3 氮气退火对InN薄膜光学带隙的影响 | 第31-33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第4章 InN薄膜的三阶非线性光学性质 | 第34-43页 |
| 4.1 Z扫描技术理论 | 第34-38页 |
| 4.1.1 闭孔透射Z扫描原理 | 第34-35页 |
| 4.1.2 只考虑非线性折射时的理论及计算 | 第35-37页 |
| 4.1.3 考虑非线性吸收时的理论及计算 | 第37-38页 |
| 4.2 InN薄膜的非线性光学特性 | 第38-42页 |
| 4.2.1 实验样品及实验装置 | 第38-39页 |
| 4.2.2 实验结果及分析 | 第39-42页 |
| 4.3 本章小结 | 第42-43页 |
| 总结与展望 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-48页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第48-50页 |
| 致谢 | 第50页 |
