| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第一章 扫描隧道显微镜简介 | 第12-24页 |
| ·STM 的发明与发展 | 第12-14页 |
| ·STM 的工作原理 | 第14-15页 |
| ·本论文所使用的 STM 及其工作模式 | 第15-21页 |
| ·STM 系统介绍 | 第15-17页 |
| ·系统结构 | 第15-16页 |
| ·低温系统 | 第16页 |
| ·超高真空系统 | 第16页 |
| ·计算机控制与处理 | 第16-17页 |
| ·性能参数 | 第17页 |
| ·STM 工作模式 | 第17-21页 |
| ·图像模式 | 第17-18页 |
| ·采谱模式 | 第18-19页 |
| ·操纵模式 | 第19-21页 |
| ·本论文的研究工作 | 第21-23页 |
| 参考文献 | 第23-24页 |
| 第二章 Ru(0001)表面外延单层、双层石墨的对比研究 | 第24-52页 |
| ·研究背景 | 第24-31页 |
| ·单层石墨的发现 | 第24-26页 |
| ·单层石墨的性质 | 第26-28页 |
| ·金属表面外延生长制备单层石墨的原理 | 第28-30页 |
| ·Ru(0001)表面单层石墨的性质 | 第30-31页 |
| ·实验与计算方法 | 第31-33页 |
| ·Ru(0001)表面的清洁处理 | 第31-32页 |
| ·单层石墨和双层石墨的制备 | 第32页 |
| ·STM 实验条件 | 第32页 |
| ·理论计算方法 | 第32-33页 |
| ·实验结果与分析 | 第33-46页 |
| ·Ru(0001)表面单层石墨(MG)与双层石墨(BG)的形貌 | 第33-36页 |
| ·单层石墨与双层石墨的电子态 | 第36-40页 |
| ·单层石墨与双层石墨的表面功函数 | 第40-46页 |
| ·利用 dz/dV 谱估计表面局域功函数 | 第40-41页 |
| ·利用 I-z 谱计算表面局域功函数 | 第41-45页 |
| ·计算模拟单层石墨表面功函数分布 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 第三章 钴酞菁分子吸附在单层石墨/Ru(0001)表面的整流效应研究 | 第52-78页 |
| ·研究背景 | 第52-55页 |
| ·单分子整流器 | 第52-53页 |
| ·酞菁分子简介 | 第53-55页 |
| ·实验与计算方法 | 第55-56页 |
| ·样品制备 | 第55页 |
| ·STM 实验条件 | 第55页 |
| ·理论计算方法 | 第55-56页 |
| ·实验结果与分析 | 第56-74页 |
| ·CoPc 分子在 MG/Ru(0001)表面的形貌以及 I-V 特征 | 第56-57页 |
| ·不同 CoPc 分子在 MG/Ru(0001)表面 I-V 谱的一致性 | 第57-59页 |
| ·CoPc 分子在 MG/Ru(0001)表面 I-V 谱与针尖高度的关系 | 第59-60页 |
| ·CoPc 分子在 Ru(0001)表面的吸附 | 第60-62页 |
| ·CoPc 分子在 Ru(0001)表面的 I-V 谱 | 第62-63页 |
| ·CoPc 分子在 Ru(0001)和 MG/Ru(0001)表面的计算模型 | 第63-64页 |
| ·CoPc 分子在 Ru(0001)和 MG/Ru(0001)表面的畸变 | 第64-65页 |
| ·CoPc 分子在 Ru(0001)和 MG/Ru(0001)表面的电子结构 | 第65-70页 |
| ·CoPc 分子在 MG/Ru(0001)表面的模拟 I-V 曲线 | 第70-71页 |
| ·CuPc 分子在 MG/Ru(0001)表面的 STM 研究 | 第71-72页 |
| ·MnPc 分子在 MG/Ru(0001)表面的 STM 初步研究 | 第72-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 第四章 金属酞菁分子吸附在 HOPG 表面的双势垒隧穿与量子电容研究 | 第78-110页 |
| ·研究背景 | 第78-82页 |
| ·双势垒隧穿效应 | 第79-81页 |
| ·量子电容 | 第81-82页 |
| ·实验方法 | 第82-83页 |
| ·样品制备 | 第82页 |
| ·STM 实验条件 | 第82-83页 |
| ·实验结果与分析 | 第83-106页 |
| ·CoPc 分子在 HOPG 上的双势垒隧穿效应 | 第83-101页 |
| ·纯度较低 CoPc 分子的不均匀性与双势垒隧穿的发现 | 第83-86页 |
| ·高纯 CoPc 分子在 HOPG 上的均匀性 | 第86-87页 |
| ·高纯 CoPc 分子各个峰对应的轨道 | 第87-93页 |
| ·高纯 CoPc 分子在针尖高度不同时的 dI/dV 谱和量子电容引入 | 第93-101页 |
| ·CuPc 分子在 HOPG 上的双势垒隧穿效应 | 第101-103页 |
| ·FePc 分子在 HOPG 上的双势垒隧穿效应 | 第103-106页 |
| ·本章小结与展望 | 第106-108页 |
| 参考文献 | 第108-110页 |
| 第五章 单个钴原子及其团簇在 Ru(0001)表面的近藤效应 | 第110-156页 |
| ·研究背景 | 第110-121页 |
| ·近藤效应简介 | 第110-114页 |
| ·单个原子的近藤效应 | 第114-118页 |
| ·两个磁性杂质的近藤问题 | 第118-121页 |
| ·实验与计算方法 | 第121-123页 |
| ·样品制备方法 | 第121-122页 |
| ·STM 实验方法 | 第122页 |
| ·理论计算方法 | 第122-123页 |
| ·实验结果与讨论 | 第123-152页 |
| ·单个 Co 原子在 Ru(0001)表面的近藤效应 | 第123-127页 |
| ·二聚体 Co 团簇在 Ru(0001)表面的近藤效应 | 第127-130页 |
| ·三聚体 Co 团簇在 Ru(0001)表面的近藤效应 | 第130-133页 |
| ·多聚体 Co 团簇在 Ru(0001)表面的近藤效应 | 第133-134页 |
| ·Co 原子及其团簇在 Ru(0001)表面的理论计算 | 第134-136页 |
| ·Co 原子及其团簇在 Rh(111)和 Pd(111)表面的对比研究 | 第136-141页 |
| ·Rh(111)表面的 Co 原子及其团簇 | 第136-140页 |
| ·Pd(111)表面的 Co 原子及其团簇 | 第140-141页 |
| ·利用 STM 针尖纵向操纵 Co 原子 | 第141-146页 |
| ·近藤针尖与 Ru 表面单个 Co 原子间的纵向相互作用 | 第146-152页 |
| ·本章小结 | 第152-154页 |
| 参考文献 | 第154-156页 |
| 致谢 | 第156-158页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第158-159页 |
