| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 气体传感器的分类与发展 | 第11-15页 |
| 1.1.1 传感器的定义与分类 | 第11-13页 |
| 1.1.2 气体传感器的发展概况 | 第13-15页 |
| 1.1.3 气体传感器的应用 | 第15页 |
| 1.2 气体传感器的工作原理 | 第15-17页 |
| 1.3 气体传感器的性能参数 | 第17-19页 |
| 1.3.1 工作温度 | 第17-18页 |
| 1.3.2 灵敏度 | 第18页 |
| 1.3.3 响应-恢复速度 | 第18-19页 |
| 1.3.4 选择性 | 第19页 |
| 1.3.5 稳定性 | 第19页 |
| 1.4 纳米材料在气体传感器中的应用 | 第19-20页 |
| 1.5 气体传感器的发展趋势 | 第20-22页 |
| 1.5.1 新型气敏材料与制作工艺的研究开发 | 第20-21页 |
| 1.5.2 新型气体传感器的研制 | 第21页 |
| 1.5.3 气体传感器智能化 | 第21-22页 |
| 1.6 本论文的选题思路和主要研究内容 | 第22-23页 |
| 第2章 试验材料与研究方法 | 第23-29页 |
| 2.1 试验材料 | 第23-24页 |
| 2.2 试验用仪器及设备 | 第24页 |
| 2.3 研究方法 | 第24-29页 |
| 2.3.1 TeO_2纳米线的制备方法 | 第24-25页 |
| 2.3.2 TeO_2纳米线的结构表征方法 | 第25-26页 |
| 2.3.3 TeO_2纳米线的产量检测方法 | 第26页 |
| 2.3.4 气敏元件的组装与性能测试 | 第26-29页 |
| 第3章 TeO_2纳米线的制备优化及结构表征 | 第29-59页 |
| 3.1 基板材质对TeO_2纳米线影响 | 第29-38页 |
| 3.1.1 Glass基板 | 第30-32页 |
| 3.1.2 Si基板 | 第32-35页 |
| 3.1.3 Al_2O_3基板 | 第35-38页 |
| 3.2 加热温度对TeO_2纳米线的影响 | 第38-44页 |
| 3.3 加热时间对TeO_2纳米线的影响 | 第44-49页 |
| 3.4 空气流速对TeO_2纳米线的影响 | 第49-54页 |
| 3.5 制备条件的优化分析 | 第54-56页 |
| 3.6 小结 | 第56-59页 |
| 第4章 TeO_2纳米线的气敏特性研究 | 第59-69页 |
| 4.1 TeO_2纳米线的气敏响应-恢复特性 | 第59-61页 |
| 4.2 工作温度对灵敏度的影响 | 第61-64页 |
| 4.3 气体浓度对灵敏度的影响 | 第64-66页 |
| 4.4 气体选择性的影响 | 第66-67页 |
| 4.5 小结 | 第67-69页 |
| 第5章 TeO_2纳米线生长机理及气敏机理 | 第69-81页 |
| 5.1 TeO_2纳米线的生长机理 | 第69-74页 |
| 5.1.1 一维纳米材料的生长机理 | 第69-71页 |
| 5.1.2 TeO_2纳米线的生长机理初探 | 第71-74页 |
| 5.2 TeO_2纳米线的气敏机理探讨 | 第74-78页 |
| 5.2.1 TeO_2纳米材料的导电机理 | 第74-75页 |
| 5.2.2 TeO_2纳米材料与被检测气体的反应原理 | 第75-78页 |
| 5.3 小结 | 第78-81页 |
| 第6章 结论 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-87页 |
| 致谢 | 第87-89页 |
| 在学期间发表的学术论文 | 第89页 |