| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 GaN基LED概况 | 第11-14页 |
| 1.2.1 GaN基LED关键技术的发展 | 第11-12页 |
| 1.2.2 Si衬底GaN基LED的发展历程 | 第12-14页 |
| 1.3 GaN基LED材料生长单元技术 | 第14-23页 |
| 1.3.1 V形坑单元技术 | 第14-21页 |
| 1.3.2 GaN基外延层生长过程中的C、O杂质污染 | 第21-23页 |
| 1.4 本论文的研究内容和结构安排 | 第23-24页 |
| 第2章 Si衬底GaN基LED制造及表征技术 | 第24-33页 |
| 2.1 Si衬底GaN基LED制造技术 | 第24-27页 |
| 2.1.1 Si衬底GaN基LED外延生长技术 | 第24-25页 |
| 2.1.2 垂直结构LED芯片制造技术 | 第25-27页 |
| 2.2 Si衬底GaN基LED表征技术 | 第27-33页 |
| 2.2.1 二次离子质谱（SIMS） | 第27-28页 |
| 2.2.2 原子力显微镜（AFM） | 第28-29页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜（SEM） | 第29-30页 |
| 2.2.4 高分辨X射线衍射（HRXRD） | 第30-31页 |
| 2.2.5 变温变电流电致发光（TDEL） | 第31-33页 |
| 第3章 量子垒中Al组分对Si衬底GaN基近紫外LED性能影响研究 | 第33-41页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 实验 | 第33-35页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第35-40页 |
| 3.3.1 外延膜性能分析 | 第35-36页 |
| 3.3.2 LED性能分析 | 第36-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 V形坑生长尺寸对Si衬底GaN基近紫外LED性能影响研究 | 第41-55页 |
| 4.1 引言 | 第41-42页 |
| 4.2 实验 | 第42-43页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第43-53页 |
| 4.3.1 V形坑尺寸对外延薄膜结构性能的影响 | 第43-46页 |
| 4.3.2 不同厚度LT-GaN插入层对V形坑尺寸和密度的影响 | 第46-49页 |
| 4.3.3 V形坑尺寸对LED光电性能的影响 | 第49-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 第5章 p-AlGaN EBL生长NH_3流量对Si衬底GaN基黄光LED性能影响研究 | 第55-74页 |
| 5.1 引言 | 第55-56页 |
| 5.2 实验 | 第56-57页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第57-72页 |
| 5.3.1 p-AlGaN EBL生长NH_3流量对C、O杂质浓度的影响 | 第57-59页 |
| 5.3.2 LED室温光电性能分析 | 第59-65页 |
| 5.3.3 LED变温光电性能分析 | 第65-72页 |
| 5.4 本章小结 | 第72-74页 |
| 第6章 总结 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-84页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第84页 |
