| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 目录 | 第9-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-31页 |
| 1.1 太阳电池的研究背景 | 第13-14页 |
| 1.2 太阳电池的原理 | 第14-18页 |
| 1.3 太阳电池的分类 | 第18-22页 |
| 1.3.1 硅基太阳电池 | 第18-19页 |
| 1.3.2 有机太阳电池 | 第19-20页 |
| 1.3.3 多元化合物太阳电池 | 第20-22页 |
| 1.4 I-III-VI_2族黄铜矿化合物薄膜太阳电池发展历史与研究现状 | 第22-26页 |
| 1.5 本论文的主要内容与创新点 | 第26-29页 |
| 1.5.1 本文的主要内容 | 第27-28页 |
| 1.5.2 本文的主要创新点 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-31页 |
| 第二章 I-III-VI_2族黄铜矿化合物薄膜太阳电池 | 第31-55页 |
| 2.1 I-III-VI_2族黄铜矿化合物半导体材料的性质 | 第31-34页 |
| 2.2 I-III-VI_2族黄铜矿化合物的缺陷 | 第34-36页 |
| 2.3 薄膜太阳电池的结构 | 第36-38页 |
| 2.3.1 Cu(In,Ga)Se_2薄膜太阳电池的基本结构 | 第36-37页 |
| 2.3.2 产业化 CIGS 薄膜太阳电池的结构 | 第37-38页 |
| 2.4 薄膜太阳电池吸收层制备技术 | 第38-44页 |
| 2.4.1 真空蒸发法 | 第39-40页 |
| 2.4.2 金属预制层后硒化/硫化技术 | 第40-42页 |
| 2.4.3 电化学沉积 | 第42页 |
| 2.4.4 印刷法 | 第42-44页 |
| 2.5 化合物薄膜的性能表征手段 | 第44-50页 |
| 2.5.1 X 射线衍射分析 | 第44-45页 |
| 2.5.2 X 射线荧光分析 | 第45-46页 |
| 2.5.3 扫描电子显微镜 | 第46-47页 |
| 2.5.4 光致发光光谱 | 第47-50页 |
| 2.6 本章小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 第三章 真空三段共蒸发法制备吸收层 Cu(In,Ga)Se_2薄膜 | 第55-73页 |
| 3.1 引言 | 第55-56页 |
| 3.2 衬底材料的选择与 Mo 背电极的制备 | 第56-61页 |
| 3.2.1 衬底材料的选择与清洗 | 第56-58页 |
| 3.2.2 背电极 Mo 薄膜的沉积 | 第58-61页 |
| 3.3 真空三段共蒸发法制备 CIGS 薄膜 | 第61-65页 |
| 3.3.1 真空室的结构改造 | 第61-63页 |
| 3.3.2 真空三段共蒸发法制备 CIGS 薄膜的工艺路线 | 第63-65页 |
| 3.4 CIGS 薄膜的性能表征 | 第65-69页 |
| 3.4.1 CIGS 薄膜的形态结构 | 第65-66页 |
| 3.4.2 CIGS 薄膜的晶体结构 | 第66页 |
| 3.4.3 CIGS 薄膜的缺陷 | 第66-69页 |
| 3.5 本章小结 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 第四章 真空蒸发沉积 Cu-In 预制层后硫化法制备吸收层 CuInS_2薄膜 | 第73-113页 |
| 4.1 引言 | 第73-74页 |
| 4.2 真空蒸发沉积 Cu-In 金属预制层 | 第74-76页 |
| 4.3 预制层的硫化工艺 | 第76-78页 |
| 4.4 CuInS_2薄膜的性能表征 | 第78-83页 |
| 4.4.1 硫化温度对 CuInS_2薄膜性能的影响 | 第78-80页 |
| 4.4.2 硫化时间对 CuInS_2薄膜性能的影响 | 第80-83页 |
| 4.5 CuInS_2薄膜本征缺陷的分析 | 第83-108页 |
| 4.5.1 光致发光的激发光特性 | 第84-89页 |
| 4.5.2 光致发光的温度特性 | 第89-95页 |
| 4.5.3 CuInS_2缺陷能级的识别 | 第95-108页 |
| 4.6 本章小结 | 第108-109页 |
| 参考文献 | 第109-113页 |
| 第五章 真空蒸发后硫化法制备吸收层 Cu(In,Ga)Se_2/Cu(In,Ga)(Se,S)_2薄膜 | 第113-121页 |
| 5.1 引言 | 第113-114页 |
| 5.2 实验过程 | 第114-115页 |
| 5.3 Cu(In,Ga)Se_2/Cu(In,Ga)(Se,S)_2薄膜的性能表征 | 第115-119页 |
| 5.3.1 薄膜的形态结构 | 第115-117页 |
| 5.3.2 薄膜的晶体结构 | 第117-118页 |
| 5.3.3 薄膜的缺陷 | 第118-119页 |
| 5.4 本章小结 | 第119-120页 |
| 参考文献 | 第120-121页 |
| 第六章 I-III-VI_2族薄膜太阳电池的制作与性能测试、分析 | 第121-131页 |
| 6.1 引言 | 第121-122页 |
| 6.2 化学水浴法制备缓冲层 CdS 薄膜 | 第122-123页 |
| 6.3 磁控溅射法制备窗口层 i-ZnO、ZnO:Al 薄膜 | 第123-125页 |
| 6.4 印刷法制备银电极 | 第125页 |
| 6.5 电池性能测试 | 第125-128页 |
| 6.6 本章小结 | 第128-129页 |
| 参考文献 | 第129-131页 |
| 第七章 总结与展望 | 第131-135页 |
| 7.1 本论文主要工作与创新点 | 第131-132页 |
| 7.2 今后工作的展望 | 第132-135页 |
| 致谢 | 第135-137页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第137-138页 |
