| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 锂离子电池简介 | 第10-16页 |
| 1.2.1 发展历程 | 第10-11页 |
| 1.2.2 基本工作原理 | 第11-12页 |
| 1.2.3 锂离子电池正极材料研究总述 | 第12-13页 |
| 1.2.4 锂离子电池负极材料研究总述 | 第13-16页 |
| 1.3 硅合金基负极材料研究进展 | 第16-21页 |
| 1.3.1 纳米硅 | 第16-17页 |
| 1.3.2 硅-碳复合材料 | 第17-19页 |
| 1.3.3 多孔硅 | 第19-20页 |
| 1.3.4 硅-金属 | 第20-21页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第2章 仪器与实验方法 | 第23-29页 |
| 2.1 药品与仪器 | 第23-24页 |
| 2.1.1 实验药品 | 第23页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第23-24页 |
| 2.2 多孔硅及碳包覆多孔硅材料的制备 | 第24-25页 |
| 2.2.1 银镜反应沉积 Ag 并刻蚀制备多孔硅 | 第24-25页 |
| 2.2.2 伽伐尼反应沉积 Ag 并刻蚀制备多孔硅 | 第25页 |
| 2.2.3 乙炔气相沉积制备碳包覆多孔硅复合材料 | 第25页 |
| 2.3 电极的制备与扣式半电池的组装 | 第25-26页 |
| 2.3.1 电极的制备 | 第25-26页 |
| 2.3.2 扣式半电池的装配 | 第26页 |
| 2.4 材料的物理表征 | 第26-27页 |
| 2.4.1 X 射线衍射(XRD) | 第26-27页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第27页 |
| 2.4.3 热重分析(TG) | 第27页 |
| 2.5 材料的电化学表征 | 第27-29页 |
| 2.5.1 恒电流充放电测试 | 第27-28页 |
| 2.5.2 循环伏安测试 | 第28-29页 |
| 第3章 金属辅助刻蚀法制备多孔硅材料 | 第29-59页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 单质硅的性能表征 | 第29-35页 |
| 3.2.1 不同球磨条件下单质硅的结构形貌表征 | 第30-32页 |
| 3.2.2 单质硅的电化学性能表征 | 第32-35页 |
| 3.3 多孔硅的制备原理 | 第35-36页 |
| 3.3.1 金属沉积原理 | 第35-36页 |
| 3.3.2 金属催化刻蚀原理 | 第36页 |
| 3.4 多孔硅材料的性能研究 | 第36-55页 |
| 3.4.1 银镜反应制备多孔块硅及其表征 | 第36-40页 |
| 3.4.2 银镜反应制备亚微米级多孔硅及其表征 | 第40-46页 |
| 3.4.3 伽伐尼反应制备多孔块硅及其表征 | 第46-50页 |
| 3.4.4 伽伐尼反应制备多孔亚微米级硅及其表征 | 第50-55页 |
| 3.5 金属 Cu 对刻蚀形貌的影响 | 第55-57页 |
| 3.6 本章小结 | 第57-59页 |
| 第4章 多孔硅制备条件的优化及改性研究 | 第59-84页 |
| 4.1 引言 | 第59页 |
| 4.2 硅粉纯度对刻蚀形貌及性能的影响 | 第59-62页 |
| 4.3 AgNO3浓度对刻蚀形貌及性能的影响 | 第62-65页 |
| 4.4 球磨处理对多孔硅形貌及性能的影响 | 第65-69页 |
| 4.5 碳包覆多孔硅性能的研究 | 第69-79页 |
| 4.5.1 乙炔气相沉积包覆 60μm 多孔硅的性能研究 | 第69-74页 |
| 4.5.2 乙炔气相沉积碳包覆 40μm 多孔硅的性能研究 | 第74-79页 |
| 4.6 伽伐尼反应沉积 Ag 并刻蚀球形硅及其表征 | 第79-82页 |
| 4.7 本章小结 | 第82-84页 |
| 结论 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-93页 |
| 致谢 | 第93页 |
