| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·VO_2的结构和性质 | 第8-12页 |
| ·VO_2的晶体结构 | 第8-9页 |
| ·VO_2的能带结构 | 第9-10页 |
| ·光学性质 | 第10-12页 |
| ·电学性质 | 第12页 |
| ·VO_2薄膜的应用 | 第12-14页 |
| ·智能窗 | 第13页 |
| ·光电开关 | 第13-14页 |
| ·光存储 | 第14页 |
| ·红外探测器 | 第14页 |
| ·VO_2薄膜的制备方法 | 第14-16页 |
| ·蒸发法 | 第15页 |
| ·溅射法 | 第15页 |
| ·脉冲激光沉积法(PLD) | 第15-16页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第16页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第16页 |
| ·研究进展 | 第16-18页 |
| ·本论文主要的研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 实验设备、研究方法及检测仪器 | 第19-29页 |
| ·实验设备 | 第19-20页 |
| ·实验材料和试剂 | 第20页 |
| ·研究方法和流程 | 第20-22页 |
| ·磁控溅射技术简介 | 第22-24页 |
| ·磁控溅射原理概述 | 第22-23页 |
| ·磁控溅射设备 | 第23-24页 |
| ·热氧化法生长薄膜 | 第24页 |
| ·基片的清洗 | 第24-25页 |
| ·检测仪器 | 第25-29页 |
| ·台阶仪 | 第25页 |
| ·X-射线衍射仪 | 第25页 |
| ·原子力显微镜 | 第25页 |
| ·紫外-可见分光光度计 | 第25页 |
| ·傅立叶红外光谱仪 | 第25-26页 |
| ·X-射线光电子能谱仪 | 第26-28页 |
| ·自组装电阻—温度测试设备 | 第28-29页 |
| 第三章 空气中热氧化制备VO_2薄膜 | 第29-38页 |
| ·VO_2薄膜样品的制备 | 第29-30页 |
| ·金属V膜的制备 | 第29页 |
| ·热氧化生长VO_2薄膜 | 第29-30页 |
| ·样品的测试结果与讨论 | 第30-37页 |
| ·样品的XRD分析 | 第30-31页 |
| ·表面形貌分析 | 第31-32页 |
| ·光学性能分析 | 第32-34页 |
| ·电学性能分析 | 第34-35页 |
| ·样品化合价态分析 | 第35-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 第四章 氧气气氛下热氧化制备VO_2薄膜 | 第38-47页 |
| ·VO_2薄膜样品的制备 | 第38-39页 |
| ·金属V膜的制备 | 第38页 |
| ·热氧化生长VO_2薄膜 | 第38-39页 |
| ·薄膜的测试结果与讨论 | 第39-46页 |
| ·光学性能分析 | 第39-43页 |
| ·电学性能分析 | 第43-45页 |
| ·样品的XRD分析 | 第45-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 第五章 石英和SiO_2/Si(100)基片上热氧化生长VO_2薄膜 | 第47-56页 |
| ·VO_2薄膜的制备 | 第47-49页 |
| ·基片清洗 | 第47页 |
| ·金属V膜的制备 | 第47-48页 |
| ·热氧化生长VO_2薄膜 | 第48-49页 |
| ·测试结果与讨论 | 第49-55页 |
| ·光学性能分析 | 第49-51页 |
| ·电学性能分析 | 第51-53页 |
| ·样品的XRD分析 | 第53-54页 |
| ·表面形貌分析 | 第54-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 第六章 总结与展望 | 第56-58页 |
| ·总结 | 第56-57页 |
| ·展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 在校期间发表论文 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |