| 中文摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 符号说明 | 第12-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-28页 |
| 1.1 引言 | 第14页 |
| 1.2 半导体光催化技术的基本原理和制约因素 | 第14-16页 |
| 1.3 光催化材料的研究进展 | 第16-21页 |
| 1.3.1 传统半导体光催化材料的研究 | 第16-17页 |
| 1.3.2 近红外光相关光催化材料的研究 | 第17-21页 |
| 1.4 羟基磷酸铜(Cu_2(OH)PO_4)的研究进展 | 第21-23页 |
| 1.5 本论文主要研究内容和结论 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-28页 |
| 第二章 密度泛函理论基础与计算软件介绍 | 第28-46页 |
| 2.1 绝热近似(Born-Oppenheimer近似) | 第28-30页 |
| 2.2 Hartree-Fock近似 | 第30-33页 |
| 2.3 电子密度 | 第33-34页 |
| 2.4 密度泛函理论 | 第34-37页 |
| 2.4.1 Thomas-Fermi模型 | 第34-35页 |
| 2.4.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第35-36页 |
| 2.4.3 Kohn-Sham方程 | 第36-37页 |
| 2.5 交换相关泛函 | 第37-39页 |
| 2.5.1 局域密度近似(LDA) | 第37-38页 |
| 2.5.2 广义梯度近似(GGA) | 第38-39页 |
| 2.5.3 轨道泛函LDA(GGA)+U | 第39页 |
| 2.5.4 杂化密度泛函 | 第39页 |
| 2.6 基组和赝势方法 | 第39-41页 |
| 2.6.1 平面波基组 | 第39-40页 |
| 2.6.2 赝势方法 | 第40-41页 |
| 2.7 自旋限制与非限制计算 | 第41-42页 |
| 2.8 密度泛函理论的修正与扩展 | 第42页 |
| 2.9 本文采用的密度泛函理论计算软件包 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-46页 |
| 第三章 近红外光催化剂Cu_2(OH)PO_4基于有效质量和偶极矩的性能调控 | 第46-62页 |
| 3.1 研究背景 | 第46-48页 |
| 3.2 计算模型和计算细节 | 第48页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第48-57页 |
| 3.3.1 能带结构和电荷密度 | 第49-51页 |
| 3.3.2 光生电子和空穴的有效质量 | 第51-52页 |
| 3.3.3 三维能带结构 | 第52-54页 |
| 3.3.4 八面体(OCT)单元和双三角锥(TBP)单元的偶极矩 | 第54-57页 |
| 3.4 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 第四章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 4.1 总结 | 第62-63页 |
| 4.2 展望 | 第63-64页 |
| 硕士期间发表的学术论文目录以及获奖情况 | 第64-66页 |
| 1 发表论文目录 | 第64页 |
| 2 参加的国际会议 | 第64-65页 |
| 3 获奖情况 | 第65页 |
| 4 参与的科研项目 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 附录：攻读硕士期间所发表的英文论文 (原文) | 第68-76页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第76页 |
