摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-17页 |
1.1 引言 | 第10页 |
1.2 I_2-II-IV-VI_4 族的研究背景 | 第10-11页 |
1.3 I_2-II-IV-VI_4 族材料的结构和研究现状 | 第11-13页 |
1.3.1 KS结构的Cu_2ZnSnS_4 的研究现状 | 第12-13页 |
1.3.2 ST结构的Cu_2CdGeSe_4 的研究现状 | 第13页 |
1.3.3 WST结构的Ag_2HgSnSe_4 的研究现状 | 第13页 |
1.4 I_2-II-IV-VI_4 族材料的应用 | 第13-15页 |
1.4.1 I_2-II-IV-VI_4 族材料的光电应用 | 第13-14页 |
1.4.2 I_2-II-IV-VI_4 族材料的其他应用 | 第14-15页 |
1.5 本论文的研究目的和主要研究方法 | 第15-17页 |
1.5.1 本论文的研究目的 | 第15页 |
1.5.2 本论文的主要研究方法 | 第15-17页 |
第二章 Cu_2Zn(Sn_(1-x)Ge_x)S_4 纳米晶的制备与表征 | 第17-28页 |
2.1 Cu_2Zn(Sn_1-xGe_x)S_4 纳米晶概述 | 第17页 |
2.2 实验制备与表征 | 第17-28页 |
2.2.1 实验原料及表征设备 | 第17-18页 |
2.2.2 纤锌矿CZTGS纳米晶的制备 | 第18页 |
2.2.3 闪锌矿CZTGS纳米晶的制备 | 第18-19页 |
2.2.4 纤锌矿CZTGS纳米晶的表征 | 第19-25页 |
2.2.5 闪锌矿CZTGS纳米晶的表征 | 第25-28页 |
第三章 纤锌矿和闪锌矿CZTGS纳米晶的电学性质比较 | 第28-34页 |
3.1 CZTGS薄膜的I-V测试 | 第28页 |
3.2 纤锌矿CZTGS纳米晶的电学性质 | 第28-30页 |
3.3 闪锌矿CZTGS纳米晶的电学性质 | 第30-33页 |
3.4 本章小结 | 第33-34页 |
第四章 纤锌矿Cu_3SnS_4 及Cu_2SnS_3 纳米晶的制备与表征 | 第34-46页 |
4.1 局域表面等离子共振 | 第34页 |
4.2 纤锌矿纳米晶的局域表面等离子共振 | 第34-35页 |
4.3 实验制备与表征 | 第35-40页 |
4.3.1 实验原料及表征设备 | 第35页 |
4.3.2 纳米晶的制备方法 | 第35-36页 |
4.3.3 Cu_3SnS_4 纳米晶的表征 | 第36-40页 |
4.4 Cu_3SnS_4 纳米晶LSPR与化学计量比的关系 | 第40-46页 |
4.4.1 Cu/Sn≈3 的Cu_3SnS_4 纳米晶的表征 | 第42页 |
4.4.2 Cu/Sn>3 的Cu_3SnS_4 纳米晶的表征 | 第42-43页 |
4.4.3 三种Cu_3SnS_4 纳米晶的LSPR比较 | 第43-46页 |
第五章 其它Cu-Sn-S族纳米晶的LSPR现象 | 第46-51页 |
5.1 Cu_2SnS_3 及CZTS纳米晶的制备与表征 | 第46-47页 |
5.2 Cu_3SnS_4,Cu_2SnS_3 及CZTS纳米晶LSPR的比较 | 第47-49页 |
5.3 本章小结 | 第49-51页 |
第六章 结论与展望 | 第51-53页 |
6.1 结论 | 第51-52页 |
6.2 展望 | 第52-53页 |
致谢 | 第53-55页 |
攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第55-56页 |
参考文献 | 第56-65页 |