| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第12-25页 |
| 1.1 研究背景 | 第12页 |
| 1.2 含能材料的概述 | 第12-19页 |
| 1.2.1 含能材料 | 第12-13页 |
| 1.2.2 含能聚合物 | 第13页 |
| 1.2.3 含能聚合物的分类 | 第13-15页 |
| 1.2.4 含能聚合物单体的合成方法 | 第15-19页 |
| 1.2.5 含能聚合物的合成方法 | 第19页 |
| 1.3 快速成型技术概述 | 第19-22页 |
| 1.3.1 快速成型技术 | 第19-21页 |
| 1.3.2 喷墨打印技术 | 第21-22页 |
| 1.4 紫外光固化墨水 | 第22-23页 |
| 1.5 本文主要内容 | 第23-25页 |
| 2 含能聚合物单体的制备与表征 | 第25-44页 |
| 2.1 实验路线设计 | 第25-27页 |
| 2.1.1 含能预聚物单体的设计 | 第25-26页 |
| 2.1.2 含能单体的设计 | 第26-27页 |
| 2.2 实验仪器及试剂 | 第27-28页 |
| 2.3 实验步骤 | 第28-32页 |
| 2.3.1 含能预聚物单体的合成 | 第28-30页 |
| 2.3.1.1 间苯二酚二醋酸酯的合成 | 第28-29页 |
| 2.3.1.2 2,4,6-三硝基间苯二酚的合成 | 第29-30页 |
| 2.3.1.3 2,4-二烯丙氧基-1,3,5-三硝基苯的合成 | 第30页 |
| 2.3.2 含能单体的合成 | 第30-32页 |
| 2.3.2.1 4,4-二甲酸乙酯基-1,6-二庚烯的合成 | 第30-31页 |
| 2.3.2.2 2,2-二丙烯基-1,3-二丙醇的合成 | 第31页 |
| 2.3.2.3 4,4-二对甲基苯磺酸-庚-1,6-二烯的合成 | 第31-32页 |
| 2.3.2.4 4,4-二叠氮甲基-庚-1,6-二烯的合成 | 第32页 |
| 2.4 结果与讨论 | 第32-43页 |
| 2.4.1 含能预聚物单体的表征 | 第32-38页 |
| 2.4.1.1 间苯二酚二醋酸酯的表征 | 第32-34页 |
| 2.4.1.2 2,4,6-三硝基间苯二酚的表征 | 第34-37页 |
| 2.4.1.3 2,4-二烯丙氧基-1,3,5-三硝基苯的表征 | 第37-38页 |
| 2.4.2 含能单体的表征 | 第38-43页 |
| 2.4.2.1 4,4-二甲酸乙酯基-1,6-二庚烯的表征 | 第38-39页 |
| 2.4.2.2 2,2-二丙烯基-1,3-二丙醇的表征 | 第39-40页 |
| 2.4.2.3 4,4-二对甲基苯磺酸-庚-1,6-二烯的表征 | 第40-42页 |
| 2.4.2.4 4,4-二叠氮甲基-庚-1,6-二烯的表征 | 第42-43页 |
| 2.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 3 含能墨水的喷墨打印快速成型 | 第44-52页 |
| 3.1 含能墨水的配方设计 | 第44-45页 |
| 3.2 含能薄膜的制备 | 第45-48页 |
| 3.2.1 含能墨水的准备 | 第45-46页 |
| 3.2.2 含能墨水的喷墨打印快速成型 | 第46-48页 |
| 3.3 含能薄膜的点火 | 第48-50页 |
| 3.4 小结 | 第50-52页 |
| 4 静电对半导体桥性能影响 | 第52-58页 |
| 4.1 半导体桥静电影响 | 第53-54页 |
| 4.2 静电对电阻的影响实验 | 第54页 |
| 4.3 静电对发火时间的影响实验 | 第54页 |
| 4.4 半导体桥静电结果分析 | 第54-56页 |
| 4.4.1 静电对半导体桥电阻的结果分析 | 第54-55页 |
| 4.4.2 静电对半导体桥发火时间的结果分析 | 第55-56页 |
| 4.5 小结 | 第56-58页 |
| 5 结论与展望 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 附录 | 第66页 |
