摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第11-27页 |
1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第11-12页 |
1.2 锂铝硅微晶玻璃的结构及性质 | 第12-14页 |
1.2.1 锂铝硅微晶玻璃的结构 | 第12-13页 |
1.2.2 锂铝硅微晶玻璃的性质 | 第13-14页 |
1.3 纤维增强锂铝硅微晶玻璃复合材料 | 第14-16页 |
1.4 SiC纳米线的制备方法 | 第16-21页 |
1.4.1 模板法 | 第16-17页 |
1.4.2 碳热还原法 | 第17-18页 |
1.4.3 化学气相沉积法 | 第18-19页 |
1.4.4 热蒸发法 | 第19-20页 |
1.4.5 其它常用制备方法 | 第20-21页 |
1.5 纳米线的生长机理 | 第21-23页 |
1.5.1 固相-液相-固相(SLS)生长机制 | 第21-22页 |
1.5.2 气相-液相-固相(VLS)生长机制 | 第22-23页 |
1.5.3 氧化物辅助生长(OAG)生长机制 | 第23页 |
1.5.4 气相-固相(VS)生长机制 | 第23页 |
1.6 吸波材料吸收原理 | 第23-25页 |
1.7 本课题主要研究内容 | 第25-27页 |
第2章 实验材料和测试方法 | 第27-37页 |
2.1 实验试剂及设备 | 第27-28页 |
2.1.1 实验试剂 | 第27-28页 |
2.1.2 实验设备 | 第28页 |
2.2 材料的制备工艺 | 第28-32页 |
2.2.1 SiC纳米线制备工艺 | 第28-29页 |
2.2.2 LAS凝胶粉体的制备工艺 | 第29-31页 |
2.2.3 SiC_(NW)-C_F/LAS复合材料的制备工艺 | 第31-32页 |
2.3 材料表征方法 | 第32-33页 |
2.3.1 X射线衍射分析(XRD) | 第32页 |
2.3.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第32页 |
2.3.3 透射电子显微镜(TEM) | 第32页 |
2.3.4 拉曼光谱(Raman) | 第32-33页 |
2.4 材料的性能测试 | 第33-37页 |
2.4.1 密度及显孔率 | 第33页 |
2.4.2 抗弯强度 | 第33-34页 |
2.4.3 断裂韧性 | 第34页 |
2.4.4 断裂功 | 第34页 |
2.4.5 电磁波损耗 | 第34-37页 |
第3章 SiC纳米线的制备及表征 | 第37-55页 |
3.1 引言 | 第37页 |
3.2 碳纤维为基体也为碳源时SiC纳米线的制备及表征 | 第37-44页 |
3.2.1 纳米线的制备 | 第37-38页 |
3.2.2 物相分析(XRD) | 第38-39页 |
3.2.3 拉曼光谱分析(Raman) | 第39-40页 |
3.2.4 不同催化剂浓度制备的纳米线形貌分析(SEM) | 第40-42页 |
3.2.5 不同摩尔硅碳比反应后纳米线形貌分析(SEM) | 第42-44页 |
3.3 乙炔黑为碳源的SIC纳米线的制备及表征 | 第44-49页 |
3.3.1 物相分析(XRD) | 第44-45页 |
3.3.2 拉曼分析(Raman) | 第45-46页 |
3.3.3 不同催化剂浓度制备的纳米线形貌分析(SEM) | 第46-48页 |
3.3.4 不同摩尔硅碳比反应后纳米线形貌分析(SEM) | 第48-49页 |
3.4 SiC纳米线的热力学分析 | 第49-51页 |
3.5 SiC纳米线的生长机理 | 第51-53页 |
3.6 本章小结 | 第53-55页 |
第4章 SiC_(NW)-C_F/LAS的室温力学性能及微观表征 | 第55-63页 |
4.1 引言 | 第55页 |
4.2 SiC_(NW)-C_F/LAS复合材料的物相分析 | 第55-56页 |
4.3 SiC_(NW)-C_F/LAS复合材料的密度和显孔率 | 第56-57页 |
4.4 SiC_(NW)-C_F/LAS复合材料的力学性能 | 第57-60页 |
4.5 SiC_(NW)-C_F/LAS复合材料的断口形貌分析 | 第60-61页 |
4.6 本章小结 | 第61-63页 |
第5章 SiC_(NW)-C_F及SiC_(NW)-C_F/LAS复合材料的吸波性能研究 | 第63-77页 |
5.1 前言 | 第63页 |
5.2 LAS基体的透波性能的研究 | 第63-66页 |
5.3 SiC_(NW)-C_F的吸波性能的研究 | 第66-71页 |
5.4 SiC_(NW)-C_F/LAS复合材料的吸波性能的研究 | 第71-75页 |
5.5 本章小结 | 第75-77页 |
结论 | 第77-79页 |
参考文献 | 第79-87页 |
致谢 | 第87页 |