星载GaN微波固态功率放大器的研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第13-19页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第13-15页 |
| 1.1.1 氮化镓场效应管技术 | 第13-14页 |
| 1.1.2 氮化镓与其他半导体材料性能对比 | 第14-15页 |
| 1.2 课题研究现状 | 第15-17页 |
| 1.3 研究目的和意义 | 第17-18页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第18-19页 |
| 2 微波固态功率放大器设计基础 | 第19-31页 |
| 2.1 功率放大器主要性能指标 | 第19-24页 |
| 2.1.1 增益 | 第19页 |
| 2.1.2 增益平坦度 | 第19页 |
| 2.1.3 输出功率 | 第19-21页 |
| 2.1.4 漏极效率和功率附加效率 | 第21页 |
| 2.1.5 谐波失真 | 第21页 |
| 2.1.6 三阶截断点 | 第21-23页 |
| 2.1.7 输入输出驻波比 | 第23-24页 |
| 2.1.8 邻近信道功率比 | 第24页 |
| 2.2 功率放大器工作状态分类 | 第24-28页 |
| 2.2.1 A类功率放大器 | 第25页 |
| 2.2.2 B类和AB类功率放大器 | 第25-26页 |
| 2.2.3 C类功率放大器 | 第26-27页 |
| 2.2.4 开关类型的功率放大器 | 第27-28页 |
| 2.3 放大器稳定性 | 第28-29页 |
| 2.4 微波功率放大器设计方法 | 第29-31页 |
| 2.4.1 大信号模型 | 第29-30页 |
| 2.4.2 负载牵引技术 | 第30页 |
| 2.4.3 小信号S参数法 | 第30-31页 |
| 3 S波段GaN微波固态功率放大器的设计 | 第31-61页 |
| 3.1 功率放大器的技术指标要求 | 第31页 |
| 3.2 功率放大器设计方案 | 第31-32页 |
| 3.3 功率放大器电路设计 | 第32-61页 |
| 3.3.1 第一级放大器的设计 | 第32-33页 |
| 3.3.2 第二级放大器设计 | 第33-42页 |
| 3.3.3 时序加电控制电路 | 第42-46页 |
| 3.3.4 电路板和屏蔽盒结构 | 第46-50页 |
| 3.3.5 宽带微带带通滤波器的设计 | 第50-61页 |
| 4 S波段GaN固态功率放大器的测试 | 第61-67页 |
| 4.1 栅极偏置电压 | 第61-62页 |
| 4.2 功放输入输出特性 | 第62-64页 |
| 4.3 功率放大器频带内特性 | 第64-65页 |
| 4.4 谐波特性 | 第65页 |
| 4.5 功耗和效率特性 | 第65-67页 |
| 5 结论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学位论文 | 第75页 |
