摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
第1章 引言 | 第9-12页 |
1.1 研究背景和意义 | 第9-10页 |
1.2 论文的内容与结构 | 第10-11页 |
1.3 主要创新成果 | 第11-12页 |
第2章 文献综述 | 第12-31页 |
2.1 低温材料研究现状 | 第12-26页 |
2.1.1 低温金属材料研究进展 | 第12-15页 |
2.1.2 低温高分子复合材料研究进展 | 第15-16页 |
2.1.3 低温结构陶瓷研究进展 | 第16-26页 |
2.2 本课题研究的非氧化物陶瓷简介 | 第26-28页 |
2.2.1 氮化铝陶瓷 | 第26-27页 |
2.2.2 氮化硅陶瓷 | 第27-28页 |
2.2.3 碳化硅陶瓷 | 第28页 |
2.3 非氧化物陶瓷典型增韧机制 | 第28-31页 |
第3章 实验方法 | 第31-37页 |
3.1 研究对象 | 第31页 |
3.2 陶瓷材料低温力学性能的测试 | 第31-35页 |
3.2.1 低温测试设备改造 | 第32-33页 |
3.2.2 抗弯强度 | 第33页 |
3.2.3 断裂韧性 | 第33-35页 |
3.3 分析表征方法 | 第35-36页 |
3.4 烧结设备 | 第36-37页 |
第4章 低温下氮化铝陶瓷的断裂模式及力学性能研究 | 第37-51页 |
4.1 引言 | 第37页 |
4.2 实验和研究方法 | 第37-38页 |
4.3 低温下氮化铝陶瓷断裂模式 | 第38-40页 |
4.4 低温下氮化铝陶瓷力学性能 | 第40-41页 |
4.5 断裂模式与断裂表面能的关系 | 第41-44页 |
4.6 低温下断裂表面能变化的间接验证 | 第44-45页 |
4.7 低温下氮化铝陶瓷力学性能变化的解释 | 第45-46页 |
4.8 低温下氮化铝陶瓷断裂模式改变的解释 | 第46-49页 |
4.9 本章小结 | 第49-51页 |
第5章 低温下氮化硅陶瓷的裂纹扩展与数值模拟计算 | 第51-64页 |
5.1 引言 | 第51页 |
5.2 实验和研究方法 | 第51-52页 |
5.3 不同温度下裂纹偏转的角度分布和穿晶断裂比例 | 第52-55页 |
5.4 氮化硅与氮化铝陶瓷低温断裂模式的对比 | 第55-57页 |
5.5 低温下裂纹扩展的数值模拟 | 第57-62页 |
5.6 本章小结 | 第62-64页 |
第6章 低温环境对氮化硅陶瓷中桥接行为的影响 | 第64-78页 |
6.1 引言 | 第64页 |
6.2 实验和研究方法 | 第64-67页 |
6.2.1 裂纹扩展阻力曲线绘制 | 第64-66页 |
6.2.2 裂纹桥接的观察与统计 | 第66页 |
6.2.3 拉曼光谱的测定 | 第66-67页 |
6.3 氮化硅陶瓷低温和室温下的桥接现象 | 第67-69页 |
6.4 低温下氮化硅陶瓷的裂纹扩展阻力曲线 | 第69-71页 |
6.5 低温下氮化硅陶瓷断裂韧性增加的解释 | 第71-72页 |
6.6 低温下氮化硅陶瓷中裂纹桥接的形成概率 | 第72-74页 |
6.7 低温下氮化硅陶瓷中桥接应力的测定 | 第74-76页 |
6.8 本章小结 | 第76-78页 |
第7章 烧结助剂对氮化硅陶瓷低温力学性能的影响 | 第78-90页 |
7.1 引言 | 第78页 |
7.2 实验和研究方法 | 第78-80页 |
7.3 烧结助剂对氮化硅陶瓷密度的影响 | 第80-81页 |
7.4 烧结助剂质量分数对氮化硅陶瓷低温力学性能的影响 | 第81-84页 |
7.5 氧化钇和氧化铝配比对氮化硅陶瓷低温力学性能的影响 | 第84-88页 |
7.6 本章小结 | 第88-90页 |
第8章 气孔对无压烧结碳化硅陶瓷低温性能的影响 | 第90-99页 |
8.1 引言 | 第90页 |
8.2 实验和研究方法 | 第90-91页 |
8.3 低温下无压烧结碳化硅陶瓷抗弯强度的变化 | 第91-94页 |
8.4 气孔对无压烧结碳化硅陶瓷低温热导率的影响 | 第94-97页 |
8.5 本章小结 | 第97-99页 |
第9章 结论 | 第99-101页 |
参考文献 | 第101-111页 |
致谢 | 第111-113页 |
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第113-114页 |