| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-27页 |
| §1.1 引言 | 第10-11页 |
| §1.2 晶圆键合技术 | 第11-21页 |
| §1.2.1 概述 | 第11-13页 |
| §1.2.2 直接键合 | 第13-15页 |
| §1.2.3 阳极键合 | 第15-16页 |
| §1.2.4 金属热压键合 | 第16-17页 |
| §1.2.5 聚合物键合 | 第17-18页 |
| §1.2.6 金属共晶键合 | 第18-21页 |
| §1.3 AU-SI共晶键合研究背景与进展 | 第21-23页 |
| §1.3.1 Au-Si体系中Si扩散的驱动力研究 | 第21页 |
| §1.3.2 Au-Si体系中的金属层结构 | 第21-23页 |
| §1.4 研究内容与论文结构 | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-27页 |
| 第二章 键合设备及表征手段介绍 | 第27-39页 |
| §2.1 键合机简介 | 第27-34页 |
| §2.1.1 键合机结构与原理 | 第28-30页 |
| §2.1.2 键合机主要性能参数 | 第30-31页 |
| §2.1.3 键合机简单操作流程 | 第31-34页 |
| §2.2 实验表征手段简介 | 第34-37页 |
| §2.2.1 剃刀测试 | 第34-35页 |
| §2.2.2 剪切力与拉力测试 | 第35-37页 |
| §2.2.3 X射线衍射 | 第37页 |
| §2.2.4 扫描电子显微镜检测 | 第37页 |
| §2.3 小结 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-39页 |
| 第三章 AU-SI共晶键合工艺研究 | 第39-50页 |
| §3.1 引言 | 第39-40页 |
| §3.2 实验 | 第40-41页 |
| §3.3 结果与分析 | 第41-47页 |
| §3.3.1 粘附层对硅扩散的影响 | 第41-44页 |
| §3.3.2 退火气氛对硅扩散的影响 | 第44-45页 |
| §3.3.3 势垒模型 | 第45-47页 |
| §3.4 小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 第四章 SI-SI、SI-GAN薄层金属晶圆键合研究 | 第50-63页 |
| §4.1 引言 | 第50-51页 |
| §4.2 实验 | 第51-53页 |
| §4.3 结果与分析 | 第53-61页 |
| §4.3.1 金属层厚度对键合的影响 | 第53-54页 |
| §4.3.2 黏附层对键合的影响 | 第54-57页 |
| §4.3.3 键合工艺调整 | 第57-61页 |
| §4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-64页 |
| 硕士期间发表学术论文和参加学术会议情况 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |