| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-31页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 SnTe拓扑晶体绝缘体 | 第13-18页 |
| 1.2.1 拓扑绝缘体 | 第13-16页 |
| 1.2.2 拓扑晶体绝缘体 | 第16-18页 |
| 1.3 PbTe和SnSe的热电性质 | 第18-24页 |
| 1.3.1 PbTe的热电性质及优化 | 第19-22页 |
| 1.3.2 SnSe的热电性质及优化 | 第22-24页 |
| 1.4 Ⅳ-Ⅵ族半导体的晶格动力学性质 | 第24-29页 |
| 1.4.1 Ⅳ-Ⅵ族半导体的铁电及近铁电性质 | 第24-28页 |
| 1.4.2 PbTe的晶格动力学的非谐性 | 第28-29页 |
| 1.5 本论文的研究工作 | 第29-31页 |
| 第二章 计算方法介绍 | 第31-43页 |
| 2.1 多电子系统 | 第31-33页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第33-40页 |
| 2.2.1 Hohenberg和Kohn:两个定理 | 第33-34页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第34-35页 |
| 2.2.3 交换关联泛函 | 第35-40页 |
| 2.3 平面波方法 | 第40-41页 |
| 2.4 赝势方法 | 第41-43页 |
| 第三章 Ⅳ族碲化物拓扑晶体绝缘体电子反常的成因 | 第43-55页 |
| 3.1 引言 | 第43-44页 |
| 3.2 计算细节 | 第44-45页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第45-53页 |
| 3.3.1 Ⅳ族碲化物的能带结构 | 第45-47页 |
| 3.3.2 Ⅳ族碲化物带隙的成因 | 第47-49页 |
| 3.3.3 Ⅳ族碲化物带隙的反常趋势 | 第49-52页 |
| 3.3.4 SnTe菱方结构和拓扑相变 | 第52-53页 |
| 3.4 结论 | 第53-55页 |
| 第四章 角分辨光电子能谱测量PbTe (111)薄膜的电子能带结构 | 第55-69页 |
| 4.1 引言 | 第55-57页 |
| 4.2 实验及计算细节 | 第57-58页 |
| 4.2.1 分子束外延 | 第57页 |
| 4.2.2 ARPES测量 | 第57-58页 |
| 4.2.3 第一性原理计算 | 第58页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第58-68页 |
| 4.3.1 晶体结构与布里渊区 | 第58-60页 |
| 4.3.2 kz测量 | 第60-62页 |
| 4.3.3 kⅡ测量 | 第62-68页 |
| 4.4 结论 | 第68-69页 |
| 第五章 外延应变导致的PbTe晶格势非谐性增强 | 第69-74页 |
| 5.1 引言 | 第69-70页 |
| 5.2 计算细节 | 第70页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第70-73页 |
| 5.4 结论 | 第73-74页 |
| 第六章 总结与展望 | 第74-77页 |
| 6.1 论文工作总结 | 第74-75页 |
| 6.2 今后工作展望 | 第75-77页 |
| 附录A 波函数投影到原子位置时的轨道特征 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-94页 |
| 攻读博士期间的研究成果 | 第94-96页 |
| 致谢 | 第96-97页 |