摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
第一章 绪论 | 第8-16页 |
1.1 引言 | 第8页 |
1.2 紫外探测器论述 | 第8-10页 |
1.3 GaN基紫外探测器综述 | 第10-15页 |
1.3.1 GaN材料的基本特性 | 第10-12页 |
1.3.2 GaN材料的制备方法 | 第12-13页 |
1.3.3 GaN基紫外探测器的研究现状 | 第13-14页 |
1.3.4 GaN基紫外探测器存在的问题 | 第14-15页 |
1.4 本文的研究内容与组织架构 | 第15-16页 |
第二章 紫外光电探测器工作原理及性能参数 | 第16-23页 |
2.1 紫外光电探测器结构及工作原理 | 第16-20页 |
2.1.1 光电导型光电探测器 | 第16-17页 |
2.1.2 p-n型或p-i-n型光电探测器 | 第17-18页 |
2.1.3 肖特基型光电探测器 | 第18-19页 |
2.1.4 MSM型光电探测器 | 第19页 |
2.1.5 雪崩型光电二极管 | 第19-20页 |
2.2 紫外光电探测器的主要性能参数 | 第20-22页 |
2.2.1 暗电流 | 第20-21页 |
2.2.2 响应度 | 第21页 |
2.2.3 量子效率 | 第21页 |
2.2.4 瞬态响应时间 | 第21-22页 |
2.2.5 等效噪声功率和探测率 | 第22页 |
2.3 本章小结 | 第22-23页 |
第三章 光电测试系统搭建和优化 | 第23-34页 |
3.1 瞬态响应时间测试系统搭建 | 第23-26页 |
3.2 低频噪声测试系统搭建 | 第26-31页 |
3.3 光谱测试系统优化 | 第31-33页 |
3.4 本章小结 | 第33-34页 |
第四章 GaN基肖特基型紫外探测器 | 第34-44页 |
4.1 引言 | 第34页 |
4.2 GaN基肖特基型紫外探测器的结构与制备 | 第34-37页 |
4.2.1 器件结构 | 第34-36页 |
4.2.2 工艺流程 | 第36-37页 |
4.3 测试与分析 | 第37-43页 |
4.3.1 电流-电压特性 | 第37-39页 |
4.3.2 光谱响应特性 | 第39-40页 |
4.3.3 瞬态响应特性 | 第40-41页 |
4.3.4 噪声特性 | 第41-43页 |
4.4 本章小结 | 第43-44页 |
第五章 AlGaN基MSM型紫外探测器 | 第44-53页 |
5.1 引言 | 第44页 |
5.2 AlGaN基MSM型紫外探测器的结构与制备 | 第44-46页 |
5.2.1 器件结构 | 第44-45页 |
5.2.2 工艺流程 | 第45-46页 |
5.3 测试与分析 | 第46-52页 |
5.3.1 电流-电压特性 | 第46-47页 |
5.3.2 光谱响应特性 | 第47页 |
5.3.3 瞬态响应特性 | 第47-48页 |
5.3.4 噪声特性 | 第48-49页 |
5.3.5 电压应力退化特性 | 第49-52页 |
5.4 本章小结 | 第52-53页 |
第六章 总结与展望 | 第53-55页 |
6.1 总结 | 第53页 |
6.2 展望 | 第53-55页 |
致谢 | 第55-56页 |
参考文献 | 第56-60页 |
附录: 作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第60页 |