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GaN基紫外探测器的光电特性研究

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第一章 绪论第8-16页
    1.1 引言第8页
    1.2 紫外探测器论述第8-10页
    1.3 GaN基紫外探测器综述第10-15页
        1.3.1 GaN材料的基本特性第10-12页
        1.3.2 GaN材料的制备方法第12-13页
        1.3.3 GaN基紫外探测器的研究现状第13-14页
        1.3.4 GaN基紫外探测器存在的问题第14-15页
    1.4 本文的研究内容与组织架构第15-16页
第二章 紫外光电探测器工作原理及性能参数第16-23页
    2.1 紫外光电探测器结构及工作原理第16-20页
        2.1.1 光电导型光电探测器第16-17页
        2.1.2 p-n型或p-i-n型光电探测器第17-18页
        2.1.3 肖特基型光电探测器第18-19页
        2.1.4 MSM型光电探测器第19页
        2.1.5 雪崩型光电二极管第19-20页
    2.2 紫外光电探测器的主要性能参数第20-22页
        2.2.1 暗电流第20-21页
        2.2.2 响应度第21页
        2.2.3 量子效率第21页
        2.2.4 瞬态响应时间第21-22页
        2.2.5 等效噪声功率和探测率第22页
    2.3 本章小结第22-23页
第三章 光电测试系统搭建和优化第23-34页
    3.1 瞬态响应时间测试系统搭建第23-26页
    3.2 低频噪声测试系统搭建第26-31页
    3.3 光谱测试系统优化第31-33页
    3.4 本章小结第33-34页
第四章 GaN基肖特基型紫外探测器第34-44页
    4.1 引言第34页
    4.2 GaN基肖特基型紫外探测器的结构与制备第34-37页
        4.2.1 器件结构第34-36页
        4.2.2 工艺流程第36-37页
    4.3 测试与分析第37-43页
        4.3.1 电流-电压特性第37-39页
        4.3.2 光谱响应特性第39-40页
        4.3.3 瞬态响应特性第40-41页
        4.3.4 噪声特性第41-43页
    4.4 本章小结第43-44页
第五章 AlGaN基MSM型紫外探测器第44-53页
    5.1 引言第44页
    5.2 AlGaN基MSM型紫外探测器的结构与制备第44-46页
        5.2.1 器件结构第44-45页
        5.2.2 工艺流程第45-46页
    5.3 测试与分析第46-52页
        5.3.1 电流-电压特性第46-47页
        5.3.2 光谱响应特性第47页
        5.3.3 瞬态响应特性第47-48页
        5.3.4 噪声特性第48-49页
        5.3.5 电压应力退化特性第49-52页
    5.4 本章小结第52-53页
第六章 总结与展望第53-55页
    6.1 总结第53页
    6.2 展望第53-55页
致谢第55-56页
参考文献第56-60页
附录: 作者在攻读硕士学位期间发表的论文第60页

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