| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7页 |
| 缩略词表 | 第8-12页 |
| 1 绪论 | 第12-25页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 光电探测器工作原理 | 第12-15页 |
| 1.2.1 基本工作原理 | 第12-13页 |
| 1.2.2 光电探测器的主要性能参数 | 第13-15页 |
| 1.3 与半导体材料结合的硅基光电探测器 | 第15-23页 |
| 1.3.1 二维材料石墨烯 | 第15-18页 |
| 1.3.2 氟化石墨烯 | 第18-20页 |
| 1.3.3 硅量子点 | 第20-23页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第23-25页 |
| 2 石墨烯/硅光电探测器 | 第25-38页 |
| 2.1 Gr/Si器件工作原理 | 第25-26页 |
| 2.2 石墨烯/硅光电探测器的制备 | 第26-33页 |
| 2.2.1 石墨烯的制备 | 第26-27页 |
| 2.2.2 Gr/Si器件制备工艺 | 第27-31页 |
| 2.2.3 器件制备细节及实验设备 | 第31-33页 |
| 2.3 Gr/Si光电二极管性能分析 | 第33-37页 |
| 2.3.1 Ⅰ-Ⅴ测试 | 第33-34页 |
| 2.3.2 Ⅰ-Ⅴ曲线拟合分析 | 第34页 |
| 2.3.3 Gr/Si光电探测器其他光电响应测试 | 第34-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 3 FG与Gr/Si结合的异质结光电探测器 | 第38-48页 |
| 3.1 氟化石墨烯的制备 | 第38-39页 |
| 3.2 FG/Gr/Si光电探测器 | 第39-44页 |
| 3.2.1 FG/Gr/Si光电探测器工作原理 | 第40页 |
| 3.2.2 器件制备 | 第40-41页 |
| 3.2.3 FG/Gr/Si器件的光电测试 | 第41-44页 |
| 3.3 Gr/FG/Si异质结光电探测器 | 第44-46页 |
| 3.4 石墨烯与氟化石墨稀多重堆叠异质结器件 | 第46-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 4 基于掺硼硅量子点/石墨烯光电探测器的研究 | 第48-61页 |
| 4.1 掺硼硅量子点的制备 | 第48-49页 |
| 4.2 掺硼硅量子点对Gr/Si器件的性能影响 | 第49-54页 |
| 4.2.1 硅量子点对Gr/Si器件的影响 | 第49-50页 |
| 4.2.2 掺硼硅量子点 | 第50-52页 |
| 4.2.3 Gr/B-SiQDs/Si光电探测器制备 | 第52-54页 |
| 4.3 B-SiQDs/Gr/Si与Gr/B-SiQDs/Si探测器的光电响应及分析 | 第54-59页 |
| 4.3.1 B-SiQDs/Gr/Si与Gr/B-SiQDs/Si器件响应 | 第54-57页 |
| 4.3.2 B-SiQDs/Gr/Si与Gr/B-SiQDs/Si光电器件的工作原理及比较 | 第57-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-61页 |
| 5 硒化铟硅基光电探测器 | 第61-69页 |
| 5.1 硒化铟材料的制备和表征 | 第61-64页 |
| 5.1.1 制备 | 第61-62页 |
| 5.1.2 表征 | 第62-64页 |
| 5.2 γ-In_2Se_3/Si光电探测器 | 第64-68页 |
| 5.2.1 硒化铟/硅光电探测器结构 | 第64-65页 |
| 5.2.2 γ-In_2Se3/Si光电探测器Ⅰ-Ⅴ测试及分析 | 第65-67页 |
| 5.2.3 γ-In_2Se_3/Si光电探测器时间响应测试 | 第67-68页 |
| 5.3 本章小结 | 第68-69页 |
| 6 总结与展望 | 第69-71页 |
| 6.1 总结 | 第69-70页 |
| 6.2 展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-78页 |
| 作者简历及在攻读硕士学位期间取得的科研成果 | 第78-79页 |
