| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| ·MOS场效应晶体管(MOS-FET)简介 | 第8-9页 |
| ·场效应晶体管分类 | 第8页 |
| ·MOS场效应晶体管的结构简介 | 第8-9页 |
| ·高介电栅极介质材料的研究背景和现状 | 第9-11页 |
| ·传统氧化硅栅介质材料的局限性 | 第9-10页 |
| ·高介电栅介质材料的选择标准 | 第10-11页 |
| ·常见的高介电栅介质候选材料体系简介 | 第11-12页 |
| ·本文研究工作目的、意义和内容 | 第12-14页 |
| 第2章 薄膜制备,形貌微结构观察分析和电学性能测试 | 第14-26页 |
| ·薄膜制备工艺 | 第14-15页 |
| ·射频(RF)磁控溅射系统以及原理简介 | 第14-15页 |
| ·薄膜厚度和沉积速率的标定 | 第15页 |
| ·薄膜结构形貌、成分表征方法 | 第15-19页 |
| ·X射线衍射分析(XRD)原理简介 | 第15-16页 |
| ·透射电子显微镜(TEM)原理简介 | 第16-17页 |
| ·X射线光电子能谱仪(XPS)原理简介 | 第17页 |
| ·振动样品磁强计(VSM)原理简介 | 第17-19页 |
| ·薄膜电学性能测试 | 第19-26页 |
| ·MOS电容器结构的制备 | 第19-20页 |
| ·MOS结构的电容-电压(C-V)特性 | 第20-25页 |
| ·漏电流密度-电压(J-V)特性 | 第25-26页 |
| 第3章 不同氛围溅射Hf02薄膜电学性能和界面微结构观测 | 第26-33页 |
| ·薄膜的制备工艺 | 第26-27页 |
| ·硅衬底的清洗与表面处理 | 第26-27页 |
| ·HfO_2薄膜与Au/HfO_2/Si/Ag MOS电容器结构的制备 | 第27页 |
| ·不同氛围沉积HfO_2薄膜MOS电容器结构的电学性能测试与分析 | 第27-29页 |
| ·MOS结构C-V特性曲线"频散效应"及其修正 | 第27-28页 |
| ·不同沉积氛围制备HfO_2薄膜电学性能表征 | 第28-29页 |
| ·不同沉积氛围制备HfO_2薄膜电学性能参数分析 | 第29页 |
| ·薄膜成分和界面微结构探测和分析 | 第29-32页 |
| ·HfO_2/Si界面性质TEM测试与分析 | 第29-30页 |
| ·HfO_2/Si界面性质XPS测试与分析 | 第30-31页 |
| ·HfO_2/Si界面反应动力学过程探究 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第4章 射频磁控溅射HfO_2薄膜室温弱铁磁性研究 | 第33-44页 |
| ·引言 | 第33-38页 |
| ·固体物质磁性的基本特征和类型 | 第33-35页 |
| ·氧化物薄膜弱铁磁性研究现状 | 第35-38页 |
| ·本章工作研究目的和内容 | 第38页 |
| ·薄膜的制备及后处理 | 第38-39页 |
| ·薄膜的室温铁磁性测试与分析 | 第39-41页 |
| ·薄膜饱和磁矩的各向异性 | 第39-40页 |
| ·沉积氛围及退火温度对薄膜弱铁磁性的影响 | 第40-41页 |
| ·HfO_2薄膜弱铁磁性来源探讨 | 第41-43页 |
| ·氧空位对HfO_2薄膜弱铁磁性的贡献 | 第41-42页 |
| ·晶格(晶界)缺陷对HfO_2薄膜弱铁磁性的贡献 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第5章 结论与展望 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-54页 |
| 硕士期间发表论文及参加学术活动情况 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55页 |
