高性能CMOS运算放大器应用研究与设计
| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 1 引言 | 第11-21页 |
| 1.1 模拟集成电路概论 | 第11-16页 |
| 1.1.1 半导体技术及模拟集成电路 | 第11-12页 |
| 1.1.2 模拟集成电路设计过程 | 第12-14页 |
| 1.1.3 运算放大器的诞生 | 第14-16页 |
| 1.2 研究背景及研究意义 | 第16-18页 |
| 1.2.1 研究背景及研究意义 | 第16-18页 |
| 1.2.2 国内外研究现状 | 第18页 |
| 1.3 本文研究内容及章节安排 | 第18-19页 |
| 1.4 本章小结 | 第19-21页 |
| 2 CMOS运算放大器简介 | 第21-25页 |
| 2.1 理想运放 | 第21-22页 |
| 2.2 运算放大器分类 | 第22-23页 |
| 2.3 本章小结 | 第23-25页 |
| 3 高性能CMOS运算放大器设计与仿真 | 第25-61页 |
| 3.1 原理图 | 第25-28页 |
| 3.1.1 电路结构的确定 | 第25-27页 |
| 3.1.2 电路参数计算 | 第27-28页 |
| 3.2 直流特性分析 | 第28-32页 |
| 3.2.1 失调电压 | 第28-31页 |
| 3.2.2 摆幅 | 第31-32页 |
| 3.3 交流特性分析 | 第32-41页 |
| 3.3.1 共模抑制比 | 第32-36页 |
| 3.3.2 电源抑制比 | 第36-38页 |
| 3.3.3 增益 | 第38-40页 |
| 3.3.4 单位增益带宽 | 第40-41页 |
| 3.4 瞬态特性仿真 | 第41-45页 |
| 3.4.1 摆率 | 第41-43页 |
| 3.4.2 建立时间 | 第43-45页 |
| 3.5 其他特性仿真 | 第45-50页 |
| 3.5.1 噪声系数 | 第46-47页 |
| 3.5.2 三阶交调 | 第47-50页 |
| 3.6 改进后的运放 | 第50-53页 |
| 3.6.1 改进运放原理图 | 第50-53页 |
| 3.7 版图设计及后仿真 | 第53-59页 |
| 3.7.1 版图设计规则 | 第53-54页 |
| 3.7.2 运算放大器版图设计及后仿 | 第54-59页 |
| 3.8 本章小结 | 第59-61页 |
| 4 带隙基准电压源的设计与仿真 | 第61-81页 |
| 4.1 带隙基准电压源基本原理 | 第61-63页 |
| 4.1.1 负温度系数电压 | 第62页 |
| 4.1.2 正温度系数电压 | 第62-63页 |
| 4.1.3 实现零温度系数的基准电压 | 第63页 |
| 4.2 带隙电压基准结构及性能参数 | 第63-65页 |
| 4.2.1 利用PTAT电流产生基准电压 | 第63-65页 |
| 4.2.2 带隙基准电压的基本性能参数 | 第65页 |
| 4.3 带隙基准电压源的设计与仿真 | 第65-77页 |
| 4.3.1 带隙基准电压源原理图设计 | 第65-67页 |
| 4.3.2 带隙基准电压源性能参数仿真与优化 | 第67-72页 |
| 4.3.3 带隙基准电压源曲率校正 | 第72-77页 |
| 4.4 带隙基准电压源的版图设计与后仿 | 第77-80页 |
| 4.4.1 带隙基准电压源的版图设计 | 第77-78页 |
| 4.4.2 带隙基准电压源的后端仿真 | 第78-80页 |
| 4.5 本章小结 | 第80-81页 |
| 5 结论 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-85页 |
| 作者简历 | 第85-89页 |
| 学位论文数据集 | 第89页 |
