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基于SiC MOSFET的低压交流伺服驱动器的研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第10-16页
    1.1 课题的研究背景和意义第10页
    1.2 交流伺服系统的发展现状及趋势第10-12页
        1.2.1 永磁电机的发展现状及趋势第11页
        1.2.2 交流伺服系统的发展现状及趋势第11-12页
    1.3 功率器件的发展现状及趋势第12-14页
    1.4 本文研究内容第14-16页
第2章 SiC MOSFET的结构及特性分析第16-30页
    2.1 SiC MOSFET的结构及特点第16-17页
    2.2 SiC MOSFET的仿真模型建立第17-22页
    2.3 SiC MOSFET的开关特性研究第22-26页
    2.4 SiC MOSFET管压降研究第26-27页
    2.5 SiC MOSFET的开关损耗分析第27页
    2.6 本章小结第27-30页
第3章 SiC MOSFET在低压伺服主回路中的应用研究第30-44页
    3.1 主回路的拓扑结构第30-31页
    3.2 主回路工作原理第31-34页
    3.3 主回路的损耗分析第34-37页
    3.4 基于主回路的仿真分析第37-40页
    3.5 散热系统的设计第40-41页
    3.6 本章小结第41-44页
第4章 低压交流伺服驱动器的系统设计及软硬件实现第44-64页
    4.1 永磁同步电机的数学模型第44-49页
        4.1.1 永磁同步电机的结构及建模条件第44-45页
        4.1.2 永磁同步电机的数学模型第45-46页
        4.1.3 永磁同步电机的转子磁场定向控制第46-48页
        4.1.4 永磁同步电机的双闭环控制系统第48-49页
    4.2 低压伺服驱动器的硬件电路设计第49-58页
        4.2.1 硬件总体框架设计第49-50页
        4.2.2 基于DSP的控制电路设计第50-51页
        4.2.3 主回路设计第51-52页
        4.2.4 驱动电路设计第52-55页
        4.2.5 电压、电流检测电路第55-57页
        4.2.6 速度检测电路第57-58页
        4.2.7 辅助电源电路第58页
    4.3 软件设计第58-63页
        4.3.1 系统主程序及初始化第59-61页
        4.3.2 定时器下溢中断服务子程序第61页
        4.3.3 电流采样模块第61-62页
        4.3.4 PI调节器模块第62-63页
    4.4 本章小结第63-64页
第5章 实验平台的搭建及实验结果分析第64-80页
    5.1 实验平台的搭建第64-67页
    5.2 实验结果及分析第67-79页
        5.2.1 开关频率为5kHz第67-72页
        5.2.2 开关频率为10Hz第72-79页
    5.3 本章小结第79-80页
第6章 总结与展望第80-82页
    6.1 工作总结第80-81页
    6.2 工作展望第81-82页
参考文献第82-86页
攻读学位期间发表的学术论文第86-88页
致谢第88页

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