| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第18-34页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第18-19页 |
| 1.2 聚合物基纳米电介质国内外研究进展 | 第19-24页 |
| 1.2.1 聚合物基体电介质 | 第19-20页 |
| 1.2.2 聚乙烯基复合电介质 | 第20-22页 |
| 1.2.3 聚酰亚胺基复合电介质 | 第22-24页 |
| 1.3 聚合物基纳米电介质界面层研究 | 第24-27页 |
| 1.4 同步辐射SAXS装置及模型数据处理 | 第27-31页 |
| 1.4.1 同步辐射SAXS装置 | 第27-28页 |
| 1.4.2 SAXS数据处理 | 第28页 |
| 1.4.3 SAXS散射模型 | 第28-30页 |
| 1.4.4 Porod定律 | 第30-31页 |
| 1.5 论文主要研究内容 | 第31-34页 |
| 第2章 实验材料与方法 | 第34-44页 |
| 2.1 实验材料与仪器 | 第34-35页 |
| 2.1.1 实验材料 | 第34-35页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第35页 |
| 2.2 结构表征 | 第35-37页 |
| 2.2.1 FTIR测试 | 第35页 |
| 2.2.2 ZETA电位测试 | 第35页 |
| 2.2.3 微观结构和表面形貌测试 | 第35页 |
| 2.2.4 小角X射线散射测试 | 第35-37页 |
| 2.3 性能测试 | 第37-38页 |
| 2.3.1 介电谱测试 | 第37页 |
| 2.3.2 变温电导率测试 | 第37页 |
| 2.3.3 电晕老化测试 | 第37-38页 |
| 2.3.4 热性能测试 | 第38页 |
| 2.4 两种表面修饰SiO_2颗粒制备方法及表征 | 第38-41页 |
| 2.4.1 气相法制备SiO_2颗粒与表征 | 第38-39页 |
| 2.4.2 K-SiO_2颗粒制备与表征 | 第39-41页 |
| 2.5 聚合物基复合薄膜的制备 | 第41-43页 |
| 2.5.1 聚酰亚胺基复合薄膜制备 | 第41-42页 |
| 2.5.2 聚乙烯基复合薄膜制备 | 第42-43页 |
| 2.6 本章小结 | 第43-44页 |
| 第3章 SiO_2形态对薄膜微结构及电晕性影响 | 第44-64页 |
| 3.1 SiO_2纳米颗粒尺寸表征 | 第44-47页 |
| 3.1.1 TEM表征SiO_2纳米颗粒尺寸 | 第45-46页 |
| 3.1.2 SAXS表征SiO_2/PI薄膜中纳米颗粒分布 | 第46-47页 |
| 3.2 SiO_2颗粒尺寸对薄膜微结构的影响 | 第47-51页 |
| 3.2.1 SiO_2颗粒尺寸对薄膜界面层的影响 | 第47-48页 |
| 3.2.2 颗粒尺寸对薄膜分形特征的影响 | 第48-49页 |
| 3.2.3 颗粒尺寸效应对薄膜界面层影响机理 | 第49-51页 |
| 3.3 V-SiO_2和K-SiO_2颗粒形貌表征 | 第51-55页 |
| 3.3.1 V-SiO_2和K- SiO_2颗粒形貌 | 第52-53页 |
| 3.3.2 薄膜中V-SiO_2和K-SiO_2颗粒形貌 | 第53-55页 |
| 3.4 颗粒表面状态对薄膜微结构的影响 | 第55-60页 |
| 3.4.1 V-SiO_2/PI和K-SiO_2/PI薄膜界面层特征 | 第56-57页 |
| 3.4.2 V-SiO_2/PI和K-SiO_2/PI薄膜分形特征 | 第57-60页 |
| 3.5 颗粒表面形态对薄膜耐电晕性的影响 | 第60-63页 |
| 3.5.1 三种颗粒表面形态薄膜耐电晕性能 | 第60-61页 |
| 3.5.2 颗粒表面形态提高薄膜耐电晕性机理 | 第61-63页 |
| 3.6 本章小结 | 第63-64页 |
| 第4章 V-SiO_2/PI薄膜微结构演化及其性能 | 第64-88页 |
| 4.1 SiO_2/PI薄膜介电性能 | 第64-68页 |
| 4.1.1 薄膜介电常数 | 第64-66页 |
| 4.1.2 薄膜介电损耗和电导率 | 第66-68页 |
| 4.2 温度场对薄膜微结构和热性能影响 | 第68-74页 |
| 4.2.1 温度场对薄膜微结构的影响 | 第68-70页 |
| 4.2.2 薄膜热性能 | 第70-71页 |
| 4.2.3 温度场下薄膜表面形貌演化 | 第71-74页 |
| 4.3 短时极化对薄膜微结构的影响 | 第74-78页 |
| 4.3.1 温度对极化后薄膜界面层的影响 | 第75-76页 |
| 4.3.2 温度对极化后薄膜分形特征的影响 | 第76-78页 |
| 4.4 长时电晕对薄膜微结构的影响 | 第78-87页 |
| 4.4.1 薄膜表面形貌 | 第79-80页 |
| 4.4.2 薄膜化学结构 | 第80-83页 |
| 4.4.3 薄膜界面层结构 | 第83-84页 |
| 4.4.4 薄膜分形特征 | 第84-86页 |
| 4.4.5 薄膜结构演化对电晕性能影响机理 | 第86-87页 |
| 4.5 本章小结 | 第87-88页 |
| 第5章 V-SiO_2/LDPE纳米电介质微结构演化及其性能 | 第88-108页 |
| 5.1 组分对纳米电介质微结构的影响 | 第88-90页 |
| 5.1.1 组分对界面层结构影响 | 第88-89页 |
| 5.1.2 组分对分形特征影响 | 第89-90页 |
| 5.2 SiO_2/LDPE纳米电介质动态热性能 | 第90-93页 |
| 5.2.1 介质晶相演化 | 第91页 |
| 5.2.2 介质分子链间相互作用力 | 第91-93页 |
| 5.3 温度场对纳米电介质微结构演化的影响 | 第93-99页 |
| 5.3.1 纳米电介质界面层演化 | 第94-95页 |
| 5.3.2 纳米电介质分形特征演化 | 第95-98页 |
| 5.3.3 纳米电介质表面形貌 | 第98-99页 |
| 5.4 温度场对纳米电介质微结构影响的机理 | 第99-102页 |
| 5.5 电场对纳米电介质电导率的影响 | 第102-106页 |
| 5.5.1 纳米电介质电导率 | 第102-105页 |
| 5.5.2 纳米电介质微结构演化对电导率影响机理 | 第105-106页 |
| 5.6 本章小结 | 第106-108页 |
| 第6章 纳米电介质热性能及微结构演化 | 第108-136页 |
| 6.1 纳米电介质动态热性能 | 第108-112页 |
| 6.1.1 K-SiO_2/PI薄膜动态热性能 | 第109页 |
| 6.1.2 K-SiO_2/LDPE纳米电介质动态热性能 | 第109-110页 |
| 6.1.3 K-SiO_2/XLPE纳米电介质动态热性能 | 第110-112页 |
| 6.2 三种纳米电介质结构演化及机理 | 第112-122页 |
| 6.2.1 K-SiO_2/PI薄膜界面层结构演化 | 第112-115页 |
| 6.2.2 K-SiO_2/LDP纳米电介质结构演化及机理 | 第115-118页 |
| 6.2.3 K-SiO_2/XLPE纳米电介质结构演化及机理 | 第118-122页 |
| 6.2.4 界面层演化的温度效应 | 第122页 |
| 6.3 LDPE和XLPE纳米电介质中片晶厚度分布 | 第122-131页 |
| 6.3.1 LDPE基介质片晶厚度计算 | 第123-125页 |
| 6.3.2 XLPE基介质片晶厚度计算 | 第125-127页 |
| 6.3.3 六种介质中球晶分布 | 第127-129页 |
| 6.3.4 六种介质中片晶分布 | 第129-131页 |
| 6.4 纳米电介质微结构与介电和热性能关系 | 第131-135页 |
| 6.5 本章小结 | 第135-136页 |
| 结论 | 第136-138页 |
| 参考文献 | 第138-149页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第149-150页 |
| 致谢 | 第150页 |
