摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-12页 |
第一章 绪论 | 第12-29页 |
·引言 | 第12页 |
·碳化硅的结构性质和光催化原理 | 第12-15页 |
·碳化硅的结构性质 | 第12-13页 |
·光催化原理 | 第13-15页 |
·影响碳化硅光催化的因素 | 第15-16页 |
·晶体结构 | 第15页 |
·晶粒尺寸 | 第15页 |
·能带位置 | 第15-16页 |
·表面特性 | 第16页 |
·提高碳化硅光催化的途径 | 第16-19页 |
·贵金属沉积 | 第17页 |
·构建异质结 | 第17-18页 |
·离子掺杂 | 第18页 |
·添加牺牲剂 | 第18-19页 |
·光催化分解水制氢的研究现状 | 第19-22页 |
·半导体光催化分解水制氢的研究现状 | 第19-21页 |
·碳化硅光催化分解水制氢的研究现状 | 第21-22页 |
·课题研究意义、目的与内容 | 第22-24页 |
·课题研究的意义与目的 | 第22页 |
·课题研究内容 | 第22-24页 |
参考文献 | 第24-29页 |
第二章 实验及表征方法 | 第29-35页 |
·实验材料 | 第29-30页 |
·实验设备 | 第30页 |
·样品制备 | 第30-31页 |
·SiC纳米线的制备 | 第30-31页 |
·SiC纳米纸的制备 | 第31页 |
·SiC-PEDOT/PSS复合薄膜的制备 | 第31页 |
·SiC/g-C_3N_4复合薄膜的制备 | 第31页 |
·表征方法 | 第31-35页 |
·光电化学性能测试 | 第31-32页 |
·光催化制氢性能测试 | 第32-33页 |
·X射线衍射分析(XRD) | 第33页 |
·扫描电子显微镜(SEM) | 第33页 |
·透射电子显微镜(TEM) | 第33页 |
·X射线光电子能谱(XPS) | 第33页 |
·傅里叶变换红外光谱(FTIR) | 第33页 |
·紫外-可见吸收光谱(Uv-vis) | 第33-34页 |
·光致发光光谱(PL) | 第34-35页 |
第三章 SiC-PEDOT/PSS复合薄膜的制备及光电催化分解水性能研究 | 第35-55页 |
·引言 | 第35页 |
·实验部分 | 第35-36页 |
·结果与讨论 | 第36-50页 |
·SiC纳米纸的XRD分析 | 第36页 |
·SiC纳米纸的TEM分析 | 第36-37页 |
·SiC纳米纸的数码照分析 | 第37-38页 |
·SiC-PEDOT/PSS的XRD分析 | 第38页 |
·SiC-PEDOT/PSS的数码照分析 | 第38-39页 |
·SiC-PEDOT/PSS的SEM分析 | 第39-40页 |
·SiC-PEDOT/PSS的XPS分析 | 第40-41页 |
·SiC-PEDOT/PSS的FTIR分析 | 第41-42页 |
·SiC-PEDOT/PSS的Uv-vis分析 | 第42-43页 |
·SiC-PEDOT/PSS的PL分析 | 第43-44页 |
·SiC-PEDOT/PSS的光催化分解水制氢性能研究 | 第44-45页 |
·SiC-PEDOT/PSS的光电化学性能研究 | 第45-49页 |
·SiC-PEDOT/PSS的制氢机理研究 | 第49-50页 |
·本章小结 | 第50-52页 |
参考文献 | 第52-55页 |
第四章 SiC/g-C_3N_4复合薄膜的制备及光电催化分解水性能研究 | 第55-72页 |
·引言 | 第55页 |
·实验部分 | 第55页 |
·结果与讨论 | 第55-67页 |
·SiC/g-C_3N_4的XRD分析 | 第55-56页 |
·SiC/g-C_3N_4的数码照分析 | 第56-57页 |
·SiC/g-C_3N_4的TEM分析 | 第57-58页 |
·SiC/g-C_3N_4的的XPS分析 | 第58-59页 |
·SiC/g-C_3N_4的FTIR分析 | 第59-60页 |
·SiC/g-C_3N_4的Uv-vis分析 | 第60页 |
·SiC/g-C_3N_4的PL分析 | 第60-61页 |
·SiC/g-C_3N_4的光催化分解水制氢性能研究 | 第61-62页 |
·SiC/g-C_3N_4的光电化学性能研究 | 第62-66页 |
·SiC/g-C_3N_4的制氢机理研究 | 第66-67页 |
·本章小结 | 第67-69页 |
参考文献 | 第69-72页 |
第五章 结论与展望 | 第72-74页 |
硕士期间学术成果 | 第74-75页 |
致谢 | 第75页 |